半导体存储器是一种能存储大量二值信息（或称为二值的数据）的半导体器件。通常都把存储量和存取速度作为衡量存储器性能的重要指标。半导体存储器的种类很多，首先从存、取功能上可以分为只读存储器（ROM）（Read Only Memory）和随机存储器（RAM）（Random Access Memery）两大类。
只读存储器（ROM）：在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地随时修改或重新写入数据。
优点是电路结构简单，读取速度比 RAM 快，且数据不具有易失性（即掉电之后所有存储的数据不会丢失）。
缺点是灵活性差，只适用于存储固定数据的场合。
只读存储器（ROM）分为
掩摸 ROM：数据在制作时已经确定，无法更改。
可编程 ROM（PROM）（Programmable ROM）：数据可以由用户根据自己的需要写入，但是一经写入以后就无法更改了。
可擦除的可编程 ROM（EPROM）（Erasable Programmable ROM）：数据不但可以由用户根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，灵活性较大。（又进化为电信号擦除的可编程 ROM（EEPROM）（Electrically Erasable Programmable ROM），又进化为新一代电信号擦除的可编程 ROM，即快闪存储器（闪存）（Flash Memory））
随机存储器（RAM）：正常工作状态下就可以随时快速地向存储器里写入数据或读出数据。
优点是读写方便、灵活性大。
缺点是电路结构比 ROM 复杂，读取速度没有 ROM 快，且数据具有易失性（即掉电之后所有存储的数据将随之丢失）。
随机存储器（RAM）分为（根据所采用的存储单元工作原理的不同）
静态存储器（SRAM）（Static Random Access Memery）。
动态存储器（DRAM）（Dynamic Random Access Memery）。
无论是 SRAM 还是 DRAM，其基本电路结构都由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路（输入/输出电路）三部分组成。
存储矩阵又许多存储单元排列而成，每个存储单元能存储 1 位二值数据，在译码器和读/写电路的控制下，既可以写入 1 或 0，又可以将存储的数据读出。
地址译码器一般都分为行地址译码器和列地址译码器两部分。
读写控制电路用于对电路的工作状态进行控制。
附加：
存储器容量的扩展（当使用一片 ROM 或 RAM 器件不能满足对存储容量的要求时，就需要将若干片 ROM 或 RAM 组合起来形成一个更大的存储器系统，从而满足对存储容量的要求）分为
位扩展方式（如 1024 X 1 位 → 1024 X 8 位）。
字扩展方式（如 256 X 8 位 → 1024 X 8 位）。
存储器实现组合逻辑函数
一个词：LUT。