一、概述
二、随机存储器（RAM）
1、静态随机存储器（SRAM）
英文全称是：Static Random-Access Memory，简称SRAM。
SRAM结构，通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成。
地址译码器分为行地址译码器和列地址译码器。
2、动态随机存储器（DRAM）
英文全称是：Dynamic Random-Access memory，简称DRAM。
DRAM的动态存储单元是利用MOS电容可以存储电荷的原理制成的，在大容量、高集成度的RAM中得到普遍的应用，DRAM是大容量RAM的主流产品。
因为MOS电容容量小，漏电流也不可能绝对为0，所以电荷保持的时间有限，必须定时给电容补充电荷，这种操作叫做刷新或再生。
DRAM结构，存储矩阵、地址译码器、读写控制电路和刷新控制电路组成。
三、只读存储器（ROM）
结构：由存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器组成。
地址译码器的作用：将输入的地址代码翻译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中将指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓存器。
输出缓存器的作用：一是能提高存储器的带负载能力，二是对输出状态的三态控制，以便于系统的总线连接。
ROM的分类在概述图中已经给出。
