每当我看到各种芯片手册的时候，总是对各种存储器的名字感到疑惑——似曾相识又似懂非懂。为了让自己真正搞懂存储器，特地写一篇关于存储器的文章，以加深理解。
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。内存的种类有很多，从能否写入，可以分为RAM（随机存储器）和ROM（只读存储器）这两大类，他们都是半导体存储器，又分别有许多种类的内存。
按照存储器的数据方式，可以这样分类：
存储器的分类
RAM（Random Access Memory随机存储器）是指通过指令可以随机地、个别地对每个存储单元进行访问，访问所需时间基本固定的可以读写的存储器。在处理器和RAM之间有个高速数据通道，处理器需要处理的数据和指令必须先放到RAM中等待，几乎所有电子产品
ROM只能读出事先所存数据，资料不会因为电源关闭而消失。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变，其结构较简单，读出较方便，制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘。
PROM（Programmable ROM，可编程ROM）一次性软件灌入，目前不再使用。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）紫外线擦除。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)带电可擦可编程只读存储器。电子擦除。
EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用的场合
RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。它在任何
时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器），“静态”是指只要保持通电数据就一直保持，其集成度低功耗大。利用寄存器来存储信息，一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的场合。
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）里面所储存的数据需要周期性充电刷新更新。利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器），有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步，时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线操作。SDRAM有很多管脚、DRAM控制器实现数据刷新等，尺寸大、结构复杂。
DDR（Double Data Rate DRAM，双倍速率同步动态随机存储器），习惯称为DDR。DDR内存是SDRAM基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，它可以在一个时钟读写两次数据，使得数据传输速度加倍。现在已经有了四代、五代。
RDRAM（Rambus DRAM，内存总线式动态内存）采用了串行的数据传输模式。RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6GB/s。还具有缓冲信息保持、数据集中分组传送等特点。
PSRAM（Pseudo static random access memory，伪静态随机存储器），具有类似SRAM接口的协议，给出地址及存取命令就可以进行数据读取，不需要数据刷新。但其内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。PSRAM具有类SRAM接口，小封装、低成本、大容量、低功耗的特点。
PS：SRAM、DDR 、SDRAM 或RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存
FLASH（ Non-Volatile ，闪存）是一种非易失性内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据。其存储特性相当于硬盘，是各类便携型数字设备的存储介质的基础。（技术：NOR->NAND）
它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备EEPROM的性能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据。以前嵌入式系统一直使用ROM、EPROM作为存储设备，近年来Flash全面代替了ROM，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用。
FLASH ROM利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍然可以保存，结构简单，集成度高，容量大。在写入前需要用电进行擦除，不同之处在于，EEPROM以byte为单位，而FLASH以sector(扇区)为单位进行擦除；但其写入时可以byte为单位。主要用于BIOS、U盘、Mp3等需要大容量且断电不丢数据的设备。
目前的闪存主要有两种：NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和SDRAM一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，减少了RAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有内存随机读取技术，它是以一次读取一块的形式来进行的，通常一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此很多使用FLASH的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
小容量用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。