1.首先需要知道Nand的基础知识
从Nand的芯片手册可以获得
我使用的芯片手册是 K9F2G08
首先从芯片手册的名称可以获得信息：
K9F：三星
2G : 2Gb （256MB）
08 : 8位数据线
下面列出芯片手册中对编程有用的部分
上面这张图就是Nand存储颗粒的排列方式，
对Nand存储单元的管理方式如下：
Nand的存储单元和DDR一样按照字节编址，但是读写和擦除的最小单位不同。
Page是最小的读写单位
Block是最小的擦除单位
Page Register 之后的 64 Bytes 为带外数据区，用于 ECC 校验 和 坏块管理。
ECC 校验：由于Nand的物理性质导致可能发生位反转，即存的是1，却自动翻转成0，所以为了防止位反转的危害，数据写入时，会计算出ECC校验，存入带外区，将来读数据时，需要再次计算ECC校验，并对比带外区中的校验。
坏块管理：Nand的块可能坏掉，对于坏块的处理是标记为坏块，不再使用，标记坏块就需要确定坏块，确定的方法是：擦除块（Nand擦除后，所以数据成1），然后读出，比较数据是否每一位都为1，如果不是就标记为坏块。（这通常由文件系统处理）。
上面这张图进行对Nand传地址，
首先由于我这个芯片只有8根数据线（注意Nand的数据线负责传输：数据、地址、命令），所以地址信息分为5个周期传输，
前两个周期为 Col ，后3个为Row，
注意，由于Nand读写擦除都是以Page对齐的，所以Col其实都为0。
这张图是命令，也是编程。
这时需要了解 SoC和Nand之间是怎么通信的。
如下
CPU通过控制 SFR 控制 Nand控制器， Nand控制器按照时序与Nand芯片上的主控IC进行通信，
Nand芯片上的主控IC根据Nand控制器传来的命令等数据直接操作存储单元。
为什么CPU不直接操作Nand上的控制电路呢？
理论上是可以的，单片机上就是这么做的，但是太复杂，比如CPU需要完成这样的时序操作。
CLE、CE。。。这些是什么呢？
查看原理图可以晓得
原理图告诉我们，数据线有 I/O0-7一共8根，其他几乎都是时序线（有上滑线的表示低电压有效）。
所以结合上面的时序图，我们晓得了，时序控制就是按照时序拉高拉低这些时序线，显然这是否困难。
所以Nand控制器出现，Nand控制器的工作就是完成这些时序控制，SoC就只需要控制Nand控制器的SFR。
既然Nand控制器这么厉害，那他的逻辑结构是什么样的呢？
由于Nand控制器是SoC上的，所以在SoC的数据手册可以找到。
可以控制器工作在 HCLK，并且带有硬件实现的 ECC 模块，我们通过控制SFR，使用 ECC 和 Control & State Machine。
下面就是使用Nand控制器后，与Nand主控IC进行通信的流程
如何实现这些流程呢？按照前面的分析就是设置Nand控制器的SFR
// 从sdram中写数据到nand int copy_sdram_to_nand(unsigned char *sdram_addr, unsigned long nand_addr, unsigned long length) { unsigned long i = 0; // 1. 发出片选信号 nand_select_chip(); // 2. 从sdram读数据到nand，第一周期发命令0x80，第二周期发地址nand_addr,第三个周期写一页(2k)数据，第四周期发0x10 while(length) { nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_1st); nand_send_addr(nand_addr); // 列地址，即页内地址 unsigned long col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE; i = col; // 写一页数据，每次拷1byte，共拷2048次(2k)，直到长度为length的数据拷贝完毕 for(; i<NAND_PAGE_SIZE && length!=0; i++,length--) { nand_write8(*sdram_addr); sdram_addr++; nand_addr++; } rNFSTAT = (rNFSTAT)|(1<<4); nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_2st); nand_wait_idle(); } // 3. 读状态 unsigned char status = nand_read_status(); if (status & 1 ) { // 取消片选信号 nand_deselect_chip(); printf("copy sdram to nand fail\r\n"); return -1; } else { nand_deselect_chip(); return 0; } }
这样就知道了Nand的编程和相关的基础知识。
接下来要做的就是结合芯片手册的工作流程和SoC手册的寄存器解释理解源码。
当然还需要结合Nand的基础知识理解源码的有些操作，
如：
每次发送数据后，都需要短暂的等待，以保证Nand主控IC完成操作。
对于Nand进行读写操作的地址应该Page对齐，擦除操作的地址应该Block对齐。
Nand操作前后需要先选片，后释放。
每次长时间的操作，如写Nand后，需要轮询的读状态寄存器，确定Nand主控IC已经完成写操作。
对于写操作，写之前需要擦除。