1. 根据物理结构上的区别，Nand Flash主要分为：
SLC(Single Level Cell): 单层式存储
MLC(Multi Level Cell): 多层式存储
TLC(Triple Level Cell): 三层式存储
注：SLC在存储格上只存一位数据（2个状态），MLC存放两位数据（4个状态），TLC存放三位数据（8个状态）。
2. Nand Flash 地址结构
注：
①Row Address即页地址，Column Address即页内偏移
②正常页内容读取用Column Address(A0-A10)，共11位，最大索引地址为2^11 = 2048
③OOB区域索引用Column Address(A0- A12)，共12位，可以索引2048后面的地址
3. Nand Flash 信号引脚
①CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许
②ALE(Address Latch Enable): 地址锁存允许
③CE: 片选
④RE: 读允许
⑤WE: 写允许
⑥WP: 在写或者擦期间，提供写保护
⑦R/B: 读/忙
注：
现代一些SOC都自带Nand Flash控制器，软件工程师只需配置一些控制寄存器，然后按照顺序填写命令寄存器、地址寄存器，操作数据寄存器读写数据。
4. Nand Flash 命令集
5. ECC校验
① ECC的全称是Error Checking and Correction，是一种用于Nand的差错检测和修正算法
② 校验码生成算法：ECC校验每次对256字节的数据进行操作，包含列校验和行校验
列校验：
注：CP0~CP5为6个Bit位，表示Column Parity（列极性）
行校验：
注：RP0~RP15为16个Bit，表示Row Parity(行极性)
综上，对256字节的数据共生成了6个Bit的列校验结果，16个Bit的行校验结果，共22个Bit