1.DDR介绍
DDR，是SDRAM的改进，是双通道的SDRAM，
SDRAM是同步动态随机访问存储器。
SDRAM与SRAM相对于，二者的特点是：
SDRAM 需要初始化，使用时许访问，价格便宜。
SRAM 不需要初始化，价格贵。
与之相似的还有 Norflash 和 Nandflash
RAM之所掉电丢失数据，是因为RAM使用电容实现0,1二进制表示。
最后，还需要了解，地球上制造RAM的公司多，但是一线大厂只有几家，一线大厂的RAM各有不同，但是二线厂商的RAM都向一线厂商靠，所以二线厂商的DDR如果是使用三星的SoC，那么直接使用三星的DDR初始化程序都可能成功初始化二线厂商的DDR。
2.初始化DDR
（1）首先看原理图
看原理图的目的：
获得板子上的DDR芯片名
知道板子上的DDR是怎么接的
下面是 SoC 上给DDR的接口：
可以看出：
这款SoC有三个接口，
每个接口的先分为三类：数据线，地址线，时序线，
另外注意到地址线并不是 32根，而是14根，这说明一个接口可以连接的内存片存储最大值为 2^14B
然后再看接的内存片的原理图：
可以看出：
实际使用SoC内存接口为：Port1, Port2
芯片正好与SoC的接口对齐，也分为：数据线，地址线，时序线，并且注意BA0,BA1,BA2位片选线（后面会用）
芯片无晶振，说明使用SoC提供频率，由于SoC频率低，所以芯片本身需要倍频，
一片内存位宽为16位，使用两片构成32位。
芯片信号：K4T1G164QQ
总结：
通过查看原理图，了解开发板上芯片和SoC的连接情况，和芯片编号。
接下来利用芯片编号，找到芯片的手册，大致了解下芯片情况。
芯片编号为 K4T1G164QQ
芯片手册是各种规格的集合，需要根据芯片编号得知自己的芯片规格，再看对应的说明
芯片编号的解读方法如下：
K4T1G164QQ
1 ：K 说明是三星的
2： 4 说明是DRAM
3：T 是 DDR2
4：1G 密度和刷新速度，为 1Gb也就是 128MB
5：16 位宽为16bit
6：4 8Bank
7：电压
后面没用了
总结为 ： DDR2 1Gb 16bit 8Bank
根据上面数据找到这张图
现在需要知道内存是如何确定每个 bit 的位置的。
内存是多个 Bank组成，每个Bank是个二维地址有col和row确定的存储单元，这样就构成了三维的矩阵。
所以每个bit先要确定 Bank，然后再是 row 和 col。
对应上面的图可以知道，一共17根线传输这些地址数据，3位用来选Bank（BA0,BA1,BA2），也就 8 Bank
10位 Col，14位Row，所以 1Bank 就是 2^24 B = 16MB
8Bank = 128MB
完成了上面工作，对板子上的内存芯片就有了足够的认识，
就下来应该结合 SoC UM 和 参考代码进行分析，
因为知道使用的是DDR2，所以看SoC UM 对DDR2初始化的部分，一共有27步，应该结合参考代码看。
（1）设置驱动强度
/* DMC0 Drive Strength (Setting 2X) */ ldr r0, =ELFIN_GPIO_BASE ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_0DRV_SR_OFFSET] // 寄存器中对应0b10，就是2X ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_1DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_2DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_3DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_4DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_5DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_6DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP1_7DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x00002AAA str r1, [r0, #MP1_8DRV_SR_OFFSET] /* DMC1 Drive Strength (Setting 2X) */ ldr r0, =ELFIN_GPIO_BASE ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP2_0DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP2_1DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP2_2DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP2_3DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP2_4DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP2_5DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP2_6DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x0000AAAA str r1, [r0, #MP2_7DRV_SR_OFFSET] ldr r1, =0x00002AAA str r1, [r0, #MP2_8DRV_SR_OFFSET]
（2）设置PLL，因为DDR使用SoC提供时钟，频率太低，需要倍频，所以需要使用PLL
/* DMC0 initialization at single Type*/ ldr r0, =APB_DMC_0_BASE ldr r1, =0x00101000 @PhyControl0 DLL parameter setting, manual 0x00101000 str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0] ldr r1, =0x00000086 @PhyControl1 DLL parameter setting, LPDDR/LPDDR2 Case str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL1] ldr r1, =0x00101002 @PhyControl0 DLL on str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0] ldr r1, =0x00101003 @PhyControl0 DLL start str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0] find_lock_val: ldr r1, [r0, #DMC_PHYSTATUS] @Load Phystatus register value and r2, r1, #0x7 cmp r2, #0x7 @Loop until DLL is locked bne find_lock_val and r1, #0x3fc0 mov r2, r1, LSL #18 orr r2, r2, #0x100000 orr r2 ,r2, #0x1000 orr r1, r2, #0x3 @Force Value locking str r1, [r0, #DMC_PHYCONTROL0]
这一步和时序相关，看不懂
ldr r1, =0x0FFF2010 @ConControl auto refresh off str r1, [r0, #DMC_CONCONTROL]
对应文档中的这几步
接下来
#define DMC0_MEMCONFIG_0 0x20F01323 // MemConfig0 256MB config, 8 banks,Mapping Method[12:15]0:linear, 1:linterleaved, 2:Mixed
#define DMC1_MEMCONTROL 0x00202400 // MemControl BL=4, 2 chip, DDR2 type, dynamic self refresh, force precharge, dynamic power down off
ldr r1, =DMC0_MEMCONTROL @MemControl BL=4, 1 chip, DDR2 type, dynamic self refresh, force precharge, dynamic power down off
str r1, [r0, #DMC_MEMCONTROL]
ldr r1, =DMC0_MEMCONFIG_0 @MemConfig0 256MB config, 8 banks,Mapping Method[12:15]0:linear, 1:linterleaved, 2:Mixed
str r1, [r0, #DMC_MEMCONFIG0]
这里按照硬件连接情况设置。
接下来比较重要
ldr r1, =DMC0_MEMCONFIG_1 @MemConfig1 #define DMC0_MEMCONFIG_1 0x30F00312 // MemConfig1 默认值 str r1, [r0, #DMC_MEMCONFIG1]
看UM
可以看出，31-24设置内存的基地址，基地址该如何设置应该看SoC安排的Memory Map
地址向上生长，DRAM0使用 0x3000_0000
23-16是使用掩码的方式设置长度，根据 Memory Map 可以看出DRAM0长度最大0x3FFF_FFFF，这里设置的也是这个
其他的按照前面查的数据填。
其他的代码基本上时序，没得可以变的，也看不懂。
这样 DDR的初始化就完了。
总结：
通过这次初始化，学习如何使用芯片手册，SoC手册，参考代码，原理图。
简单说是：
先看原理图，了解SoC和芯片实际连接，和使用的芯片类型。
再看芯片手册，了解下芯片，当然前提需要知道硬件的基本常识。
再依照参考代码看SoC手册，期间需要结合芯片手册确定某些特殊数据。
可以看出 DDR 的初始化基本上没得可以改的，也不会改，
需要注意的就是内存的起始地址和长度的设置部分，这里可以变通。