1 开发环境 ：S3C2440 GCC编译
2 NAND Flash型号：K9F2G08U0C
3 芯片介绍：内存大小为256M*8=2GB，每页由2K数据+64字节OOB组成。
4 芯片引脚介绍：
由上图我们可以知道：
发命令操作： 选中芯片，CLE设为高电平 ， 在DATA0~DATA7上输出命令值，发出一个写脉冲。
发地址操作 ： 选中芯片 ， ALE设为高电平，在DATA0~DATA7上输出地址值， 发出一个写脉冲。
发数据操作： 选中芯片， ALE,CLE设为低电平，在DATA0~DATA7上输出数据值， 发出一个写脉冲
读数据操作： 选中芯片， 发出读脉冲，读DATA0~DATA7的数据。
5 相关的时序：
写命令时序：
写地址时序：
写数据命令：
读数据命名：
6 S3C2440内部自带NAND Flash寄存器。因此我们操作NAND Flash时，可以不必关心上述时序等操作。
由于SRAM和NOR Flash价格高且存储小。因此该芯片当设置在NAND Flash启动时，芯片内部会自动加低地址的4KB空间，复制到芯片内部的
Steppingstone'的内部SRAM缓冲区中。 下为NAND 控制器框图。
NAND Flash 输入命令，或地址的时序如下图所示。
关于NAND Flash 读取/写入数据的时序。
关于NAND Flash的主要涉及寄存器有：
控制寄存器，NFCONT，命令寄存器 NFCMMD，地址寄存器：NFADDR，数据寄存器：NFDATA。