半导体随机存储器芯片内集成有记忆功能的存储矩阵，译码驱动电路和读/写电路等等。
下面介绍几个重要的概念：
读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作。
地址线：单向输入，其位数与芯片的容量有关
片选线：确定哪个芯片被选中（用来选择芯片）
数据线：双向输入，其位数与芯片可读出或者写入的位数有关，也与芯片容量有关。
存储容量
通常我们将存储容量表示为：
字数 X 位数，比如 64K X8位，其含义为，以8位构成一个字，一共有64个字。这个概念要相当熟悉，后面理解题目很有用。
下面我们来看一道例题：
一个64K x 8位的存储器，可以由（）个16k x1位的存储芯片构成？
分析：64K x 8位，说明该存储器是以8位构成一个字，因此，每读出一个字，需要选中8片16k x1位的存储芯片，而一片能表示16k，因此一共需要64/16 = 4片，根据组合的原理，一共需要4x8 = 32片。
从图中我们可以看出，相当于把32个芯片分成了4组，每组8片（表示8位）。
于是我们得出这样的结论：
半导体随机存取器，习惯上多称为RAM，按其存储信息原理不同，可以分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。
SRAM
SRAM存储原件所使用的mos管多，占用硅片面积大，集成度低，但是采用触发器工作原理存储信息，因此即使信息读出之后，它仍然保持原状，不需要再生，但是电源掉电时，原存有的信息就会消失，因此它属于易失性存储器。因为这个比较的简单，因此就简单介绍一下就好：
工作原理：触发器
优点：
- 能长久保存信息
- 速度快，工作稳定
- 无需刷新
- 无需读后再生
缺点：功耗大，集成度低，价格高。
典型应用：cache
DRAM（这个是重点）
与SDRAM相比，DRAM所用的mos管少，占硅面积小，因而功耗小，集成度高但是因为采用了电容存储电荷的原理来寄存信息，会发生漏电现象，所以要保持状态不变，需要定时刷新，因为读操作会使得状态发生改变，故需要读后再生。且速度比SRAM慢。但是由于其功耗小，集成度高，被广泛应用于计算机中。
典型应用：主存
存储记忆原理（了解）
定义：存“0”：C中没有电荷，存“1”：C中有电荷
读入的时候，T中的高电平使得T通导，如果此时C有电荷，那么数据线就会产生电流，视为读出1.否则视为读出0
写入的时候，若为高电平，则经过T对C充电，充电后有电荷，于是存1，若为低电平，C经过T时放电，C中没有电荷，于是存0.
DRAM的刷新
问：为什么要对DRAM进行刷新？如何进行刷新？
由于动态存储器的原理是容存储电荷的原理，且访问存储单元是随机的，有可能某些存储单元长期得不到访问，其存储单元内原信息就会慢慢消失（原因）。刷新的过程实质上是将原信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程，称为读后再生。
下面介绍一下刷新过程中要用到的名词。
- 刷新周期：在规定的时间内，对DRAM全部基本单元进行一次刷新（即两次刷新之间的相隔时间），一般为ms级别，2ms。
- 死时间：刷新时，某段时间需要暂停读写操作，这段时间由于外界不能对存储器进行操作，因此称为死时间。
- 存取周期：DRAM完成一次读写操作所需要的最短时间
- 死时间率：
DRAM常见的刷新方式有三种：集中刷新，分散刷新，异步刷新
刷新的过程为：以行为单位，读出一行中全部单元的数据吗，经过信号放大后，同时写回。读出时候一定断开存储器的输出。
集中刷新
做法：在刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间进行刷新（逐行进行），此时必须停止读写操作。
看看下面的例题：
设对128 x 128矩阵的存储芯片进行刷新，若存取周期为0.5us，刷新周期为2ms，采用集中刷新的方式，那么对128行集中刷新，一共需要（）us？死时间率为（）%？
分析：刷新一遍的时间 = 存取周期 x行数，于是可以求得刷新时间。在刷新时间内，不能进行读写操作，因此死时间就是刷新的那段时间，占用的存取周期数值上等于行数。利用计算公式算出死时间率为32.%。所以很容易得到：
但是这种做法有个极其不好的缺点：对于经常要进行读入读出的程序，要陷入大量的等待时间，CPU的工作效率不高。
分散刷新
做法：对每行存储单元的刷新分布到每个存取周期内完成，其中吧机器的存取周期（记为tc），分成两个部分，前半段的tm用来记录读写，后半段（tr）用来刷新，即tc = tm +tr。如图：
若读写周期 tc = 0.5us ，那么存取周期tc = （0.5+0.5）us = 1us
现在沿用上面的题目：
设对128 x 128矩阵的存储芯片进行刷新，若存取周期为1us，刷新周期为2ms，采用分散刷新的方式，那么对128行分散刷新，一共需要（）us？死时间率为（）%？
分析：因为在读写操作之后，立刻刷新，那么每读取操作一次，就会刷新一次，刷新128行就需要 1us x 128 = 128 us。由于刷新是在读写操作过后直接完成的，所以不存在死时间。也就是死时间率为0.
缺点：这样无异于加长了存取周期，会使系统运行速度降低，刷新操作也过于频繁。
异步刷新
做法：在刷新周期内对所有行各刷新一次，即每隔（刷新周期/总行数）us，刷新一次。这种方式是前面两种方式的结合，既能缩短死时间，又能充分利用刷新周期，提高刷新频率。
题目同上：
设对128 x 128矩阵的存储芯片进行刷新，若存取周期为0.5us，刷新周期为2ms，采用异步刷新的方式，那么对128行异步刷新，一共需要（）us？死时间率为（）%？
每隔（2ms/128） = 15.6us刷新一次，每一次刷新，死时间都是存取周期内的时间为0.5us，对于该行来说，下一次轮到它刷新还是间隔了2ms，所以死时间率为 1/4000.(2ms 里面有4000个存取周期)。所以;
1/4000 << 3.2%
若将DRAM的异步刷新安排在CPU对指令的译码阶段（此阶段CPU访问存储器），那么也就不存在死区。