转载SRAM的工作原理:
在静态存储器器件中，一位由6只晶体管组成，称为一个存储元，如图所示：
N1和N2构成触发器，P1和P2分别作为Q1和Q2的负载电阻。N1截止而N2导通时的状态称为"1"。相反的状态称为"0"。
读出时，置选择线为高电平，使两个开关管导通，从读/写线输出原存的信息。
写入时，写入数据使读/写线呈相应电平（例如写"1"时，读/写线"1"为高电平，读/写线"0"为低电平），再使选择线为高电平，于是触发器被置为相应的状态（写"1"时，置为"1"状态，即N1截止N2导通）。显然，无论存储元保存的信息是"1"还是"0",N1,N2,P1和P2，4只MOS管总有两只处于导通状态。
DRAM的工作原理
和静态RAM一样，动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的。
（1）3管DRAM的
3管动态RAM的基本存储电路如右图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。
写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反；若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往数据总线。
（2）单管DRAM
① 写入操作 首先由正脉冲信号ф使T5导通，平衡触发器，接着T5管关断，行、列选通信号为有效高电平，T6、T0两管导通，若I/O数据线上输入逻辑0电平，则T1管截止，由T1、T3所构成的反相器则以高电平通过T0存入C中，对电容C充电。相反，若I/O输入线以逻辑1电平作为输入，则经T1反相后以逻辑0电平存入C中，若原C中有电荷，则会形成一个放电回路，泄放掉电容C中存储的电荷。从以上分析可知，该存储单元电路将输入逻辑信号反相后存入C中
② 读出操作 与写入操作的开始条件相同，此时T6、T0两管导通，如果电容C中有电荷即为高电平，经T0管后传送到T2的栅极，在T2漏极输出一个原先存入的低电平，此低电平可反过来使T1可靠截止，于是T1、T3组成的反相器输出一个标准的高电平经T0又对C充电，因而，读出操作既实现了正确读出，又实现了再生（刷新）
③ 刷新操作 刷新操作也称为再生操作。实现刷新一般采用“仅行地址有效”法进行刷新，此时，列地址处于无效状态，由行地址有效选中DRAM中某一行，将此行中存入的所有二进制信息全部实现一次读操作，从上述读操作过程可知，读操作既可以实现读又可实现再生。因为此时列地址无效，读访问到的所有二进制信息并不会输出到外部I/O数据线上去