电压规格：VDSS、VDS、BVDSS、V(BR)DSS
VDSS中的“V”表示电压，前面的“D”、“S”表示“Drain”（漏极）与“Source”（源极），最后一个“s”表示“Short”（短路）。VDSS的具体含义是“Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted”，中文含义是“栅极与源极短接时，漏极与源极问能够承受的最大电压”。有时候也称为“零栅压最大漏源电压”。
—-直称之为“电压规格”，之后我们还将这样称呼它，既简单又明了，同时还给它另一个称呼：耐压，这符合行业习惯。因为超过电压规格，VMOS就可能被击穿损坏，因此电压规格有时候也称为“零栅压击穿电压”。
BVDSS（漏源击穿电压）的含义虽然与VDSS略有差异，但是在数值上一般是相同的。一般技术手册中给出的VDSS为额定值，BVDSS给出的是最小值，所谓数值相同，是VDSS的额定值与BVDSS的最小值相同。由此可以看出来，VDSSV是侧重于测量的一个参数，BVDSS是侧重于电路应用的参数。
VDSS、VDS的含义相同，BVDSS、V(BR)DSS的含义相同，只是不同制造商的应用习惯有所不同。但是VDS也常常用来表示源极与漏极之间的实际电压而不是极限的击穿电压，因此为了避免歧义，采用的是VDSS。
很显然，VDSS表示的是VMOS在关断条件下承受正向电压的能力。在关断条件下，VMOS的栅极—源极间的偏置不外乎四种情况（图3.1）。
反向偏置指的是让VMOS关断程度加深的偏置电压，对于N沟道VMOS，显然是栅极电压低于源极电压的情况；P沟道则相反。这种方式在高频条件下比零栅压更为可靠，在实际的高频电路中，尤其是希望VMOS迅速关断的电路中，这种负栅压的偏置方法会经常出现。
旁路( Shunt)方法是希望VMOS的关断不要像反向偏置那么快，在常态下，与零栅压是相当的，未开封的新模块上常常会配置旁路电阻，以保护模块不会被静电击穿。在有些高速电路中，为了减小电路中的电流变化速度，也会采用旁路栅极的方法。旁路的另一个作用是，使VMOS的输入电阻不至于过高，有了旁路电阻，VMOS的输人电阻就大致等于旁路电阻的阻值。
对于VMOS而言，栅极悬空无论是何种条件下都是应该尽量避免的，稍有不慎，就会导致VMOS击穿损坏。这时候的击穿一般是栅极与源极击穿，而不管源极、漏极间的电压是高还是低。 除了槽栅结构的VMOS，零栅压、反相偏置、旁路情况下测得的击穿电压是大致相等的；对于槽栅结构的VMOS，零栅压情况下测得的击穿电压最高。因此，VDSS表示的是VMOS在关断条件下承受正向电压的最高能力。
图3.1中的可调电流源”指的是限流电路，保证回路电流不超过某一设定值，“可调电压源”就比较容易理解了。这两种电源符号在测试晶体管的电路中会经常出现。
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