01 栅极电荷
一、背景介绍
昨天测量两款MOS管栅极漏极之间的电容， 测量得到的电容值比起手册中给定的数值大了两倍。 这实际上与测量条件有关系。 测量的过程中没有将MOS管置于工作偏置状态下，而是直接使用LCR表测量栅源之间的电容。 通过这张MOS管寄生电容示意图来看， 直接测量栅源之间的电容结果应该包括了MOS管多个寄生电容的串并联的结果。 CSD19535 MOS管数据手册给出的栅极充电电荷与栅极电压之间的关系， 是在漏极电压为50V时测量的数值。 在栅极电压小于4V之前，电荷与电压之间呈现线性关系， 因此这个电压区间内可以将栅极与源极之间看成一个线性电容。 下面测量这个线性电容与漏极电压之间的关系。
▲ 图1.1.1 CSD19535栅极电荷 与栅极电压之间的关系
二、测量结果
在面包板上搭建测试电路。 将待测MOS的栅极通过R1接地。 通过改变漏极电压， 测量栅极电容的变化。
▲ 图1.2.1 测量栅极电容与漏极电压之间的关系
测量电容数值使用一款电感电容测量模块。 将其连接到面包板上MOS管的栅极与源极之间，测量显示电容数值。 通过DH1766数控直流电源改变MOS管漏极电压。
可以看到随着MOS管漏极电压增加，栅极电容也随之下降。漏极电压从0V变化到64V，栅极电压从13纳法减少到10纳法左右。
▲ 图1.2.2 测量结果
※ 总 结 ※
本文测量MOS管栅极电容随着漏极电压增加而减少的情况，但测量结果与数据手册中的数值还是有很大的差别。 数据手册中给定的数值大约6纳法，但实测该电容大约为10纳法左右。
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