1.
增强型N沟道mos管
- 栅极电压大于阈值,mos管导通
- 导通电阻小,导通时mos管相当于一个小电阻Rds,因此导通损失较小
增强型P沟道mos管
- 栅极电压大于阈值,mos管截止
- 导通电阻大,导通时mos管相当于一个小电阻Rds,因此导通损失较大
2.开关损失
MOS在导通和截止不是瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失
3.MOS管用作开关时的效率
一般用综合品质因数(栅极电荷QG×导通阻抗RDS(ON))来评估MOS管
二者都影响电源效率。两种形式：传导损耗和开关损耗
4.MOS管的寄生而二极管作用:VDD过大的情况下,二极管反向击穿,将大电流直接到地，避免MOS管被烧坏
5.栅-漏等效电容
令MOS导通/关断需要的电荷量，值越小,所需驱动电流就越小,同样的驱动电流下开关间隔越短。
6.Vdss
7.Vgss
8.ID(DC)
漏极允许通过的最大持续电流
ID(pulse)
漏极允许通过的最大瞬间电流
PT:
芯片能承受的最大功耗
Tch:
mos管沟道上限温度
Tstg:
mos管保存的温度
9.Vsw
抗雪崩击穿的能力
10.如何选择mos管额定值?
**Rds(on)导通阻抗
值越大,导通的时的消耗也越大
温度越高,Rds越大
**电荷量
**开关时间
**mos管用于信号切换,导通就好了,不一定需要完全导通
电压通断用mos管,一般Ugs>10V,且开通时必须处于饱和导通状态
**mos管失效原因:
mos管故障原因:
1.雪崩失效: 源极漏极之间的电压超过mos管额定电压
2.SOA失效(电流失效):电流过大,损耗高长时间热积累导致的失效
3.体二极管失效:
4.谐振失效: 并联使用过程中,栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效
5.静电失效:
6.栅极电压失效:尖峰电压导致栅极氧化层失效
**mos管上的二极管的作用
防止mos反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
