经常会看到MOS驱动电路中栅极电阻会反并联一个二极管。关于这个二极管的左右，提出个人见解，不一定正确：
MOS使用在半桥电路中的情况特别多，而半桥电路要求上下管具有死区时间，可能由于之前电子技术还不够先进，控制芯片无法生成互补的带死区时间的PWM信号，只能通过MOS“慢开快关”来生成死区。在栅极电阻上反并联二极管就实现了MOS的快速关断。
另外，大功率MOS一般用在不超过200V的低压场合（当然很早就有600V左右的高压MOS，用在小功率的开关电源中），而且一般不采取负压驱动。驱动芯片一般也不会有米勒钳位功能。要抑制米勒电容引起的寄生导通只能通过增加栅极电容或者减小关断状态下的栅极回路阻抗，因此反并联二极管对抑制寄生导通有一定作用。
