MOS管主要参考及接法，开启电压VGS(th)1V~2V，VGS极限电压一般20~60V，导通电阻RDS(on)，S极与D极导通后的内阻。
1、N沟道MOS管：
输入端：D极漏极（一般接VCC）
输出端：S极源极（一般接GND，最好接GND，可以直接用IO3.3V~5V来控制）
控制端：G极栅极（接IO）
P沟道MOS管：
输入端：S极源极（一般接负载的后端，因为如果VCC为较大电压比如12V时，接负载后端可以分压至3~5V，可以直接用IO3~5V去控制）
输出端：D极漏极（一般接GND）
控制端：G极栅极（接IO）
应用电路：R50可接GND，R70前可接VCC或负载。两个电阻用以S极分压，需注意电路电流是决定电阻阻值。
其导通受VGS(th)控制，Ig基本没电流。
参考解读：
https://blog.csdn.net/zhengyanan815/article/details/68921668