VISHAY > MOS管
制造商Vishay
产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装/箱体SO-8-8
通道数量1Channel
晶体管极性P-Channel
Vds-漏源极击穿电压-30V
Id-连续漏极电流-29A
RdsOn-漏源导通电阻5mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压-1V
Vgs-栅极-源极电压-10V
Qg-栅极电荷129nC
最小工作温度-55C
最大工作温度+150C
配置Single
Pd-功率耗散7.8W
通道模式Enhancement
商标名TrenchFET
封装CutTape
封装Reel
系列SI4
晶体管类型1P-Channel
商标Vishay/Siliconix
正向跨导-最小值24S
下降时间20ns
产品类型MOSFET
上升时间16ns
工厂包装数量2500
子类别MOSFETs
典型关闭延迟时间80ns
典型接通延迟时间16ns
零件号别名SI4459ADY-GE3
单位重量187mg
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