揭秘MOS管电路逻辑及MOS管参数

  1.开启电压VT

  开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

       

  2.直流输入电阻RGS

  即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比,这一特性有时以流过栅极的栅流表示,MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

       

  3.漏源击穿电压BVDS

  在VGS=0(增强型)的条件下,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

  ID剧增的原因有下列两个方面:

  (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿

  (2)漏源极间的穿通击穿

  有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID。

       

  4.栅源击穿电压BVGS

  在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。

        

  5.低频跨导gm

  在VDS为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导。gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一个重要参数。一般在十分之几至几mA/V的范围内。

       

  6.导通电阻RON

  导通电阻RON说明了VDS对ID的影响,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数,在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间,由于在数字电路中,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似。对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内。

       

  7.极间电容

  三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

  CGS和CGD约为1~3pF

  CDS约在0.1~1pF之间。

        

  8.低频噪声系数NF

  噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的,由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化,噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)。这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小,低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数。场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小。

       

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转载自www.cnblogs.com/lishenxin/p/9988511.html
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