由于在我的项目中，需要实现对 HCS12 单片机的 FLASH 进行擦写，所以难免会遇到对全局地址的操作，因为对 FLASH 的擦写操作是必须使用全局地址的。
下图是擦除指令序列的说明
图 1
其中 Global address[17:16]是需要写入 FLASH 的 Block 值，下面的 Global address[15:0]是低 16 位地址。一共是 18Bit的全局地址，其最大的寻址的空间是 = 2^18 = 256K。
下图是逻辑地址和全局地址的映射图
图 2
可以发现低 14 位地址就是一页的大小 2^14 = 16K, 高 4 位地址就是页寄存器 PPAGE 的地址，由[17:14]组成。
下面说明 PRM 文件和全局地址的转换关系
取 MC9SHY64 工程的 PRM 文件的片段
/* non-paged FLASHs */
ROM_1400 = READ_ONLY 0x1400 TO 0x2FFF; //7K
ROM_4000 = READ_ONLY 0x4000 TO 0x7FFF; //16K
ROM_C000 = READ_ONLY 0xC000 TO 0xFEFF; //16k
/* paged FLASH: 0x8000 TO 0xBFFF; addressed through PPAGE */
PAGE_0C = READ_ONLY 0x0C8000 TO 0x0C93FF; //5k
PAGE_0C_B000 = READ_ONLY 0x0CB000 TO 0x0CBFFF; //4k
PAGE_0E = READ_ONLY 0x0E8000 TO 0x0EBFFF; //16k
对于分页区
其中 PAGE_0C，PAGE_0C_B000，PAGE_0E 属于分页区范围，由于是在分页区，所以如果需要擦写
这个区域，则需要转换，PAGE_0C 的 0C 就是页号，它对应了 PPAGE。
0C = 0000 1100，其中 11 就是 Global address[17:16]这 2 位，11 后面的 00 实际是无效的。
PAGE_0C 后面的起始地址是 0x0C8000，这里的 8000 是分页窗口逻辑地址范围内的起始地址，0C 就是页号，按照图 2进行理解，全局地址 = (0x0C<<14) | 0x8000 = 0x38000，这个理解是错误的。经过调试发现应该是这样的：
全局地址 = (0x0C<<14) | （0x8000 – 0x8000） = 0x30000
则 逻辑地址
Logic address = (Global address & 0x3C000) <<2 | (Global address & 0x03FFF) + 0x8000
则 上例的逻辑地址 = (0x30000 & 0x3C000)<<2 | 0x30000 & 0x03FFF + 0x8000 = 0xC8000
那么
PAGE_0C_B000 = READ_ONLY 0x0CB000 TO 0x0CBFFF; //4k
全局地址 = (0x0C<<14) | （0xB000 – 0x8000） = 0x33000
逻辑地址 = (0x33000 & 0x3C000)<<2 | 0x33000 & 0x03FFF + 0x8000 = 0xCB000
即，如果要擦写 PAGE_0C_B000 这个区域，则如下设置
Global address[17:16] = 0x03
Global address[15:0] = 0x3000
对于非分页区
其中 ROM_1400，ROM_4000，ROM_C000 属于非分页区范围，由于是在非分页区，页寄存器 PPAGE是无效的，所以如果需要擦写这个区域，则将图 1 中的 Global address[17:16]这 2 位写 00 即可，
然后 Global address[15:0]直接写地址值就行，如 Global address[15:0] = 0x1400。
则
ROM_1400 = READ_ONLY 0x1400 TO 0x2FFF; //7K
全局地址 = (0x00<<14) | 0x1400） = 0x01400
这些结论是我经过实际调试得出来的，不知道理解的如何，如果有高手，希望能指点指点！谢谢！