首先，要明确的是，数据写的过程包括
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擦除，下图为NAND FLASH一个block（128K+7K）的时间，若擦除时被打断，数据会残缺
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写入，下图为NAND FLASH写入一个page（2K+112Byte）的时间，所以一个block的写入需要64 x 300us = 19.2ms 的时间，若写入时被打断，数据会残缺
数据读的过程时间不计，因为读过程被打断，并不会造成数据的损坏
综上所述，对擦除，写入的失败都要进行处理（会造成数据损坏）
接下来，对乒乓操作进行解释，对于擦除和写入的处理有两种方式，先介绍
第一种
对于读写都放在一个接口内
函数
{
//擦写为一个任务
擦除任务
写入任务
//读取为一个任务
读取任务
若读取校验失败，屏蔽擦写任务，读取另一个块
}
首先，使用两个块作为乒乓块
关于写操作： 写入数据时，先指向块A，对其进行擦除并写入的操作。其中，若擦除时断电，或者写入时断电了，不做处理。若擦除和写入都完成的话，将写指针指向另一个块。
关于读取： 读取时读取不是写指针所指的那块，比如写指针指向A，则读取B
- 第一次上电初始化时，先对AB块进行擦除
- 收到数据后，将数据写入A块（上电初始化时擦除了，所以现在不用擦），然后将写指针指向B块。（若此时要读取数据的话，就读取A块，即不是写指针指向的那块）
- 再次收到数据，将数据写入B块，同理，上电初始化的时候擦除过了，所以现在不擦，然后将写指针指向A块（若此时要读取数据的话，就读取B块，即不是写指针指向的那块）
现在假设两块都有数据，那么接下来分析各种失败的情况
4. 擦除时掉电，不做处理，因为还有另一块做备份，上电时读取另一块数据就好
5. 写入时掉电，不做处理，同上
6. 读取时掉电，此时对数据不会有影响，不处理
第二种
函数
{
写入任务 //和擦除为一个任务
读取任务 //读取为一个任务
若读取校验失败，屏蔽擦写操作，读取另一个块
擦除任务 //和写入为一个任务
}
关于写操作： 假设数据已经写入两块，现在写入数据时，先指向块A，将数据写入块A，然后擦除块B，然后将写指针指向块B
关于读取： 读取时读取不是写指针所指的那块，比如写指针指向A，则读取B
现在假设两块都有数据，那么接下来分析各种失败的情况
- 写入时掉电，不做处理，因为还有另一块做备份，上电时读取另一块数据就好
- 擦除时掉电，不做处理，因为还有另一块做备份，上电时读取另一块数据就好
- 读取时掉电，此时对数据不会有影响，不处理
那么以上两种方式有何区别？
首先，不讨论写操作时掉电的情况，因为两种方式，写操作掉电的话，都只能读取旧的备份数据。所以以下默认写操作没问题。
区别在擦除操作和写操作的顺序，
第一种方式，由于SPI_FLASH的擦除时间偏长，所以掉电时很大概率落在擦除中，所以当进行写入操作时，万一掉电了，最新的数据没有写入到FLASH中，重新上电后读取的是上次备份的数据
第二种方式，由于每次都是先写入再擦除另一块，所以写入最新数据后，擦除的是备份的数据，当擦除备份数据掉电后，重新上电读取的是最新的数据。
其他问题
读取和写入会冲突吗？
就算使用FREE_RTOS，要需要保证读取 和 写入不能被打断，擦除和读取同时只能有一个在进行
若两个块读取的数据都校验失败怎么办？
重新初始化，擦除两个块的数据