常见的动态RAM的共同特点是都靠电容存储电荷的原理来寄存信息，电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失，所以必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，称为刷新，刷新是一行一行进行的。又因为内存就一套地址译码和片选装置，刷新与存取有相似的过程，它要选中一行，这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。所以刷新与存取不能并行。同理，刷新操作之间也不能并行，意味着一次只能刷一行。
（1）.集中刷新
指在规定的一个刷新周期内，对所有存储单元集中一段时间逐行进行刷新。（一般是刷新周期的最后一段时间）
例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期是0.5us，刷新周期为2ms（占4000个存取周期）。
则集中刷新共需0.5*64=32us（占64个存取周期），在这段时间内存只用来刷新，阻塞一切存取操作，其余3968个存取周期用来读/写或维持信息。
这64个存取周期称为“死时间”，所占的比率64/4000*100%=1.6%称为死时间率。
这种方式的优点是速度高，缺点是死时间长。
（2）.分散刷新
指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。其中，把机器的存取周期分成两段，前半段用来读/写或维持信息，后半段用来刷新。
例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期是0.5us，则读写周为0.5us。
刷新周期为：64*1us=64us。＜2ms ， 在2ms丢失电荷前就会及时补充。
优点是没有死时间了，缺点是速度慢。
（3）.异步刷新
指不规定一个固定的刷新周期，将每一行分来来看，只要在2ms内对这一行刷新一遍就行。
例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期为0.5us。
要使每行能在2ms内刷新一次，即每隔 （2ms/64us） 刷新一行，也就是对这一行来说，下一次对它进行刷新的间隔，期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。
每行刷新的时间仍为0.5us，刷新一行只停止一个存取周期，但对每行来说，刷新间隔在2ms以内，死时间缩短为0.5us。
另外补充解释## 标题
为什么刷新与存取不能并行？：因为内存就一套地址译码和片选装置，刷新与存取有相似的过程，它要选中一行——这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。同理，刷新操作之间也不能并行——意味着一次只能刷一行
分散刷新为什么没有死区，其实是因为存取周期周期变成1μs（这1μs中包含了读写时间，也包含了刷新一行的时间，所以才没有死区）
若是将存取周期变成0.5μs，则不包含刷新的时间，若是这个时候还是一个读写，然后刷新一次的话，就有死区，死区的时间是0.5μs
原因：设DRAM中电容的电荷每2ms就会丢失，所以2ms内必须对其补充。补充电荷是按行来进行的，为了【全部】内存都能保住电荷，必须对【所有】的行都得补充。
假设刷新1行的时间为0.5μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。顺便说一下存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。——对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。
并假设按存储单元(1B/单元)分为64行64列。
（64×64个单元×1B/单元 = 2^12个单元×1B/单元 = 4KB内存）。
集中刷新：快到2ms的时候，停止一切对内存的读取操作，使用0.5μs×64对64行依次刷新。这将占用3.2μs。在这3.2μs中，内存只用来刷新，阻塞一切存取操作。
分散刷新：在每个存取操作后绑定一个刷新操作。这样存取周期就成了0.5μs + 0.5μs = 1μs。它延长了存取周期。但是由于与存取操作绑定，就不需要专门给出一段时间来刷新了。这样，每有64个读取操作，就会把0-63行（共计64行）全部刷新一遍。又因为刷新是不间地断循环着的——循环对64行依次刷新，所以对于同一行，每64次读取就会轮到其被刷新——它的刷新周期是1μs × 64 = 64μs ＜2ms ，在2ms丢失电荷前就会及时补充。
异步刷新：分散刷新的刷新周期64μs ，其实根本不需要这么频繁，有些浪费，异步刷新就是恰好卡在2ms这个时间点上。对于每行以2ms为刷新周期足够了，刷新循环到它需要64刷新次操作， 2ms ÷ 64 作为【每次刷新的周期】，（注意每次刷新周期与特定行的刷新周期的不同：每次刷新间隔指对于内存来说它隔多长时间就进行一次刷新操作，轮着刷新时，刷新的行是上一次刷新的行的下一行——是不同的两行，但对于全局内存来说确实是两次刷新操作间隔。特定哪一行的刷新周期：下一次对它进行刷新的间隔，期间要经过64次内存刷新周期才又轮得到它。）过64次刚好保证每行的刷新周期为2ms。刷新操作周期为2ms ÷ 64 。但是这个时间并不是绑定在存取周期内，所以仍然是拒绝存取的死时间。但是它已经很小了。所以这种刷新策略非常可行。