（一）静态存储元阵列
1.三组信号线
地址线：指定容器的存储容量，如6条地址线，指定存储器存储容量为个存储单元；
数据线:说明存储器字长，如4条数据线，说明存储器字长为4，结合上例6条地址线，存储位元总数为64x4
控制线：指定对存储器进行读或写操作，主义读写操作不会同时发生
2.行线
地址译码输出有64条选择线，用于打开每个存储位元的输入与非门
（二）存储容量的扩充
当单个存储器芯片的容量不能满足系统要求时，需要把多片存储器芯片组合起来，组成更大容量的存储器。所需芯片数为：d=设计要求的存储器容量/已知芯片的存储器容量
1.位扩展
若给定的芯片的字数符合要求，单位数较短，不满足设计要求的存储器字长，则需要进行位扩展，让多片给定芯片并行工作。三组信号线中，地主线和控制线公用而数据线单独分开连接。例如利用2片1Mx4位的SRAM芯片设计一个存储容量为1Mx8位的SRAM存储器，连接的3组信号线中，地址线、控制线公用，数据线分高四位和低四位，分别于两片芯片的I/O端相连
2.字扩展
若给定的芯片存储容量较小（字数少），不满足设计要求的总存储容量，则需要进行字扩展，让多片给定芯片分时工作。三组信号线中给定芯片的地址总线和数据总线公用，读写控制信号线公用，由地址总线的高位译码产生片选信号，让各个芯片分时工作
3.字位扩展
若给定芯片的字数和位数均不符合要求，则需要先进行位扩展，再进行字扩展