ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器，ROM 是只读存储器 Read Only Memory 的缩写，RAM是随机存储器 Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统体质供电的时候仍然可以保存数据，可以类比硬盘；而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM 有两大类，一种称为静态 RAM (Static RAM/SRAM)，SRAM 速度非常快，是目前读写最快的设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，比如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态 RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比 SRAM 慢，不过他还是比任何的 ROM 都要快，但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多，计算机内存就是 DRAM。
DRAM 分为很多种，常见的主要有 FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中一种 DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作 DDR SDRAM，这种改进型的RAM 和 SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就是的数据的传输速度加倍了。这是目前电脑中用的最多的内存，而且它有着成本优势，在很多高端的显卡上，也配备了高速 DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高 3D 加速卡的像素渲染能力。
ROM 也有很多种，PROM 是可编程的 ROM，EPROM 是可擦除可编程 ROM。两者区别是，PROM 是一次性的，也就是灌入软件后，就无法修改了，而 EPROM 是通过紫外光的照射擦除原先的程序，是一种通用的存储器另外一种EEPROM是通过电子擦除，价格很高，写入时间长，效率慢。
FLASH 存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断点丢失数据，同事还可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的有时这种存储器。目前 FLASH 主要用两种：NOR FLASH 和 NAND FLASH。NOR FLASH的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样的，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND FLASH 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的 FLASH 比较廉价。用户不能直接运行NAND FLASH 上的代码，因此好多使用 NAND FLASH 的开发板除了使用 NAND FLASH以外，还作上了一块小的 NOR FLASH来运行启动代码。一般小容量的用NOR FLASH，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的 NAND FLASH 应用是嵌入式设备采用的 DOC(Disk On Chip)和我们通常用打的闪盘(U盘)，可以在线擦除。
SRAM是 static Random Access 的缩写。中文含义为静态随机访问存储器，他是一种类型的半导体存储器。”静态“是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM(DRAM)不同，DRAM 需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应该将SRAM与只读存储器(ROM)和 FLASH Memory 相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保存数据。”随机访问“是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。
SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不同打的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。