注意每个字母代表的单词
主要分为ROM和RAM两类，加了不同功能而已
ROM：(Read Only Memory)程序存储器
只读，永久存储
在单片机中用来存储程序数据及常量数据或变量数据，凡是c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm文件中的代码(类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的)通通都存储在ROM中。
RAM：(Random Access Memory)随机访问存储器
掉电消失，可读可写
用来存储程序中用到的变量。凡是整个程序中，所用到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。数据是CPU写入读出的，不是人为写入的。
ROM是只读存储器，CPU只能从里面读数据，而不能往里面写数据，掉电后数据依然保存在存储器中；RAM是随机存储器，CPU既可以从里面读出数据，又可以往里面写入数据，掉电后数据不保存，这是条永恒的真理，始终记挂在心。
http://m.elecfans.com/article/622818.html
EEPROM
rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。
EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”
Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
认识一下单词
- E Electrically 用电的方式
- E Erasable 可擦写的
- P Programmable 可编程的
- ROM
特点：
EEPROM容量都比较小，通常用来存储一些小容量数据，例如系统的配置信息。像网卡的配置信息、PCI桥的配置信息都存储在93C46之类的芯片中。这种存储器一个比较好的特点是可以进行字节级编程，但是读写性能都很差。如果要进行大数据存储，是不能采用此类芯片的。
FLASH（闪电）
Flash Memory(闪存)
rom和ram各有特点不可兼得，技术在进步，eeprom可以兼得了，但容量太小，速度也不快。于是技术又进步，出现了FLASH，都兼得了。
和EEPROM相比，Flash存储芯片的一个特点是存储容量大，并且以块单元进行数据擦除操作，以Page页的方式进行数据读写。该类芯片都采用IO接口的方式与CPU相连，即通过命令的方式进行读写、擦除操作。
它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM 的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。
flash分为nor flash和nand flash
nor flash
数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。
nand flash
同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）
由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用寿命上，nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。nor flash 一旦损坏便无法再用。
因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
SRAM 静态存储器
（Static Random-Access Memory，SRAM）
Static 静态的
所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。
每个SRAM单元使用六晶体管电路(six-transistor circuit)和锁存器(latch)存储一个bit。(DRAM使用晶体管和电容器。)SRAM是易失性的，但如果系统通电，SRAM会保留存储的数据而无需重复充电。它对电噪声相当不敏感——电噪声是会对所需信号产生干扰的，不需要的电信号。由于它比DRAM更快且成本更高，因此通常作为CPU内存缓存或用于高端、高性能服务器运行。SRAM系统内存通常为20-40ns(纳秒)。
DRAM 动态随机存取存储器
（Dynamic Random Access Memory）
Dynamic 动态的
DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
每个DRAM单元使用一个晶体管另加一个电容器来存储一个bit，因此DRAM具有非常高的密度。像SRAM一样，DRAM也是易失性的。但与SRAM不同，DRAM每个单元必须周期性地进行刷新(预充电)，因为电容器不可避免地存在漏电现象。它对电噪声很敏感。DRAM速度通常在60ns到100ns之间——仍然很快，但比SRAM慢。一般速度为20-40GB / s，连续的单元充电，使DRAM比SRAM具有更高的时延和带宽延迟。
SRAM和DRAM组成的器件数量差别，造成了价格的差异
https://blog.csdn.net/qq_17753903/article/details/82895415
DRAM一般用作计算机中的主存储器，即内存条。
SRAM一般用来作为计算机中的告诉缓冲存储器，即CPU或GPU中的Cache。
又在此基础上发展出其他的存储器
SDRAM——同步DRAM(SDRAM)是一种与CPU的时钟周期同步的DRAM，因此存储器的控制器确切地知道所请求的数据何时可以访问。这减少了访问时间并提高了内存性能。
DDR——双倍数据速率SDRAM(DDR SDRAM，大家习惯称DDR)是最新一代SDRAM。DDR提高了速度，降低了功耗，引入了刷新机制，并增加了CRC等安全功能。例如，DDR3传输IO数据的速度比其自身单元的速度快8倍，从而实现更高的吞吐量和更快的速度。(但它并没有降低时延)单芯片容量可以达到8GB，在实际应用中可有效翻倍至16GB。
SGRAM——同步图形RAM(Synchronous Graphics Random-Access Memory)是一个同步时钟的DRAM。SGRAM可以同时打开两个内存页面，以较低的成本模拟双端口。
VRAM——即Video RAM，是一种用于存储计算机图像数据的DRAM。VRAM充当用户显示监视器和处理器之间的帧缓冲器。处理器最初从主存储RAM读取视频数据并将其写入视频RAM格式。帧缓冲器将数字视频数据转换为模拟信号并发送到显示器。旧的VRAM是双端口的，这意味着当CPU处理器将一个新的帧写入视频RAM时，监视器将从视频中读取并更新其显示。
MDRAM——多BANK动态随机存取存储器(Multibank Dynamic RAM)，是一种高性能VRAM。传统的VRAM通过呈现整个帧缓冲区以进行数据访问，而MDRAM将内存划分为32KB的BANK以进行并发访问。
EDRAM——增强型DRAM，将SRAM和DRAM结合起来，为2级缓存提供服务。通常是256字节的SRAM与DRAM配对。数据读取操作首先检查SRAM以获取所请求的数据，如果数据未存储在SRAM中，再检查DRAM。
WRAM——Window RAM(与Microsoft Windows无关)是一种高性能的双端口VRAM。它的架构比传统的VRAM产生大约25%的带宽，成本更低。它通过高性能数据读取实现此功能，用于文本绘制和块填充等操作。它采用真彩色(24位色)，非常适合高分辨率图形显示器。
EDO DRAM——扩展数据输出DRAM(EDO DRAM)，预先读取下一块存储器，同时将前一块发送到CPU，这使它的速度比标准DRAM快25%。
