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一、RAM(Random Access Memory) 随机存储器
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM（Static RAM）静态随机存储器（如IS62WV51216芯片）
不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，而且不需要刷新，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
SRAM的速率高、性能好，主要有如下应用：
1）CPU与主存之间的高速缓存。
2）CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。
DRAM（Dynamic RAM）动态随机存储器
DRAM用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。
DRAM包括SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存储器和DDR SDRAM。
SDRAM（Synchronous DRAM）同步动态随机存取存储器
同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
SSRAM（Synchronous SRAM）同步静态随机存取存储器
同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。 对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。
二、FLASH 闪存（如W25Qxx芯片）
一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。
在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
三、ROM(Read-Only Memory)只读存储器
一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。
ROM包括PROM（可编程的ROM）、EPROM(可擦除可编程ROM)和EEPROM。
PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期产品，现在已不使用了；
EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。
EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。手机软件一般放在EEPROM中。
EEPROM 电子可擦除只读存储器（如24C02芯片）
EEPROM与FLASH不同，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样FLASH就比EEPROM的更新速度快。FLASH电路结构简单，同样容量占芯片面积较小，成本较低，适合用作程序存储器。而EEPROM则更多用作程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据。