前言
相信MOS管的理想伏安特性相信各位都在模拟电路中学过，但实际上，该理想图仅是实际图的一个近似，忽略几乎所以的二级效应。因此，为了深入理解非理想的MOS的伏安特性，了解最重要的几个二级效应是很有必要的。本文主要涉及各个参数之间的影响关系，并不涉及具体公式计算，仅做了解。
速度饱和与迁移率降低效应
载流子的漂移速率以及因此而产生的电流大小是随着源级和漏级之间的横向电场而线性增大的，这是在理想条件下，即电场较弱的时候成立。在较高的场强下，由于载流子发生散射，漂移速率增长速度变慢并最终趋于饱和值Vsat。
由理想状态下饱和区的电流表达式可知：漏电流大小与栅源电压是平方律关系，此时属于电场较弱的情况。随着源漏之间电压的增大，会导致其之间电场场强增大，在某个时刻会导致晶体管速率完全饱和，此时电流与栅源电压之间的关系为一次关系。
强的垂直电场来源于大的栅源电压，会引起载流子向表面散射，也会降低载流子的迁移率u，这种效应称之为迁移率下降效应，会直接导致流过漏源的电流下降。
沟道长度调制效应
理想状况下，处于饱和状态的晶体管的漏源电流与漏源电压无关。实际上在饱和区持续增加漏源电压会导致漏级和硅体之间形成一个耗尽层，其宽度随着漏级电压增大而增大，而
有效沟道长度 = 理想沟道长度 - 耗尽层长度
根据饱和区漏源电流表达式可知：沟道长度L下降，电流上升。
体效应
在理想情况下，我们认为NMOS的衬底是接地的，那么如果衬底接上负电压会有什么效果？
当沉底电压变得更负时，将有更多的空穴被吸引到衬底电极，因此留下了大量的负电荷形成耗尽层。由于阈值电压是耗尽层电荷总数的正相关函数，因此衬底电压变得更负的结果就是阈值电压会上升。
漏级感应势垒降低效应
正向的漏源电压会降低MOS管的热电压，这会增强压阈传导，即增大阈值电压以下产生的漏电流。
短沟道效应
当沟道长度很短的时候（几纳米的量级），源漏的耗尽层会延伸到沟道中，导致热电压随着沟道长度变化而变化，具体来说是沟道变短导致热电压下降，因此会诱生亚阈传导，即增大漏电流。