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芯片制造详解.薄膜沉积.学习笔记 六
一、由薄膜引出沉积
什么是薄膜？
答：生活中最常见的薄膜有两种，一种用来保鲜，一种用来保险。
但是最薄的保鲜膜，也有0.01毫米的厚度，而芯片工程师眼中的薄膜，厚度不超过保鲜膜的1/10，材质从半导体、化合物到金属不等，这些厚度在次微米到纳米级的薄膜，就算你有祖传的贴膜手艺也贴不出来。
只能通过物理的方法在晶圆表面“喷”上去，或者通过化学的方法在晶圆表面“长”出来。
这种工艺就是沉积(淀积Deposition)。
二、沉积的分类
2.1 物理沉积(PVD)
是通过蒸发或者溅射的方法，主要用来给芯片镀上各种金属膜。
2.2 化学气相沉积(CVD)
全称是Chemical Vapor Deposition。
早期的CVD工程活力十足，流程和原理都与高温氧化和高温扩散的步骤类似。
在做CVD时，先把硅片，放进烧得火热的炉管中，再不断通入特定的化学气体，比如易燃的硅烷，刺激的氨气。
这些气体分子在高温下，通过对流及扩散作用与硅片接触。并吸附在其表面，产生化学反应。生成固态的目标产物，比如多晶硅或氮化硅。
每种固态沉积物的生长模式，不尽相同，但通常都会现在硅片表面结成一个个晶核。再经历岛状生长，最终连成一片，成为薄膜。
膜层厚度，随着沉积时长而增加，CVD是半导体制程中，不可或缺的重要工艺，一枚芯片的诞生，要经历几十到上百次的CVD。因为每次沉积出来的薄膜都有着不同的用用途，比如氮化硅，材料硬度高，性质也很稳定，既能用来填充晶圆上的沟槽和间隙，又能作为芯片上层的钝化膜。起到防潮防杂质的作用。
保护下层精密的器件电路。
再比如沉积钨这样的金属，用来填充芯片里面的通孔，垂直导通上下金属层。
与之相反，有时也沉积二氧化硅这样的绝缘材料，用来隔离不同的介质层，但化学气相沉积并不是为了造芯片才诞生的技术，在此之间，作为工业界一种化学镀膜和晶体生长的手段，CVD就广泛用于光学设备及合成宝石的生产。尤其是用来制造人工钻石，可以大幅度降低男性的结婚成本。
三、沉积的历史
而在半导体的历史上，最早用高温CVD搞科技炼丹的，是仙童。这是一家已经仙逝的半导体公司。但是它曾孕育了半个硅谷。后来的英特尔、AMD和摩尔定律都是仙童公司生下的蛋。
1967年正值壮年的仙童，用CVD工艺，在单晶硅衬底的晶体管上，沉积多晶硅薄膜作为栅极。
这里不禁要问，为什么要用导电性较差的多晶硅呢？
答：这里不得不提到温度和掺杂。硅的导电性不如金属，但是硅的电阻是可以通过掺杂来进行调节的。所谓掺杂就是往纯洁的硅里掺入特定杂质，改变半导体的电特性，掺杂的途径也有很多，其中一种就是在做CVD时，额外添加含有硼或磷元素的化学气体。沉积出掺杂版的多晶硅薄膜。
这种使用CVD一步到位的方法，在离子注入被大规模应用前，非常好用，比如早期的DRAM工艺中，会用p型掺杂的外延(Epitaxy)层来减少闩锁效应(Latch-up)。
3.1 V1.0 常压化学气相沉积 APCVD
仙童沉积的多晶硅，除了电阻容易调节外，硅的另一个优点是比大部分金属更耐高温，因为早期的CVD都是在常压高温下进行的。又叫APCVD(常压化学气相沉积)。炉管中的温度超过了1000摄氏度，但薄膜沉积是需要反复进行的，上次沉积的薄膜，可能下次沉积的时候就熔化掉了。
因此高温带来的限制极大，薄膜材料之间的熔点需要反复斟酌，另外在高温下，气相成膜的化学反应很强烈，沉积速率确实很快，但也容易导致成膜不均匀，不致密。硅片上，薄膜生长的质量不一，无法均匀覆盖台阶，无法完全填满孔洞。
3.2 V2.0 低压化学气相沉积 LPCVD
因此工程师们，开始对V1.0版本的CVD做出了一些更新，略微下调了温度，大幅下调了气压。这就是V2.0版本的低压气相沉积(LPCVD)。
温度和气压的下降，让成膜效果更加均匀稳定，虽然献祭了沉积效率，但由于在低压下，气体更容易扩散至硅片的表面，化学气体的利用率更高，所以炉管里原本躺平的硅片，现在可以竖起来了。多枚放置，总的沉积产量提高了。
然而，尽管有了诸多的改进，对于大部分金属来说，LPCVD的温度还是太危险了，比如早期的芯片，经常使用铝作为金属连线。但铝的熔点只有660℃，假如想在连好电路的芯片上，再沉积一层氮化硅做钝化膜，不管是APCVD的1000℃，还是LPCVD的800℃，都超过了铝的熔点。
所以V2.0版本的PVD又迎来了一波增强。
3.3 V3.0 等离子体增强式化学气相沉积 PECVD
等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)。
在这次更新中，工程师们把干法刻蚀的射频电源拿了过来，把硅片放置在平行电极间，激发出等离子体(plsama)给CVD赋能。
因为原来的表面化学反应主要靠热能驱动，现在有了额外能量的加持，成膜速率变快，温度门槛更是大大降低，再想沉积氮化硅，400℃就足够了。不用担心芯片金属部分的熔化，另外在PECVD中常常会额外增加氩气(Ar),让形成中的薄膜能接受等离子体的粒子轰击，换言之，化学沉积与物理刻蚀会同步发生。它通过调节这两者的比例，能沉积出更致密的薄膜，还能够调节膜内的应力。
四、膜内应力
说到膜内应力，是本课的重点。
薄膜沉积可不是给芯片堆料这么简单，它有一种神奇的魔力。能改变材料本身的物理特性。
气相外延生长(Vapor Phase Epitaxy)是CVD中的一个特殊分类，指的是精确控制沉积过程中的各项参数，让生长出的薄膜晶体取向，与衬底材料保持一致。
在微观上，构成每种材料的原子种类不同，排列方式有别。举个例子单晶硅(Si)和锗(Ge)的原子晶格，都是对称的立方体结构。
但是硅原子之间的抱团，要稍微紧凑些，室温下的原子间距，是5.43埃，而锗的间距略大，是5.66埃，所以要是在硅片上外延一层锗膜，那么在两种材料的临街面，相当于强行把锗原子塞进略小一号的硅晶格中，这种被穿了小鞋的锗，就成了忍受应力的忍锗(strained Ge)。
如果持续沉积，那底层的忍锗就绷不住了，容易产生位错和缺陷，来释放应力，随着膜厚的增加，才会逐渐变回正常的晶格。
在锗上外延硅，也是类似的过程，只是膜内应力的方向相反，所以在做不同材料的异质外延时，原则上要考虑材料间晶格大小，尽量降低膜内应力的影响。否则容易导致，微观上的位错缺陷，宏观上的膜层开裂。
但工程师们很快发现。膜的应力也是可以被利用的，如果在沉积时，控制厚度，使生长极薄的一层硅，这点硅打不过人多势众的锗，就只好加入。晶格间距始终和锗保持一致。而这一层保留额外应力的硅，称为应变硅(strained Si)。
而这层保留额外应力的硅内部载流子的迁移率会大幅提升，用这种应变硅来做晶体管的沟道区，那器件的驱动电流更大。开关频率更高，做出来的芯片会更快，功耗更低，这就是应变晶格薄膜沟道载流子增强法，简称膜法。
晶体管膜法除了硅锗化合物的异质外延法，还有源漏区硅锗嵌入(embedded SiGe)和氮化硅局部覆膜。原理都是通过对膜力的巧妙利用，来增强晶体管材料的电特性。
AMD和英特尔等大厂，从90nm制程开始，给CMOS器件批量上了膜法加持，后来又搭配沉积高k栅介质材料，有效控制住晶体管的漏电流。成功将摩尔定律延续到了45nm，这期间每一代CPU性能的提升，膜法都功不可没。当然芯片尺寸再往下走，漏电流又管不住了。必须给CVD膜法以及光刻刀法双双升级，学会新的原子层沉积与浸没式光刻，连成自对准双重曝光技术(SADP),把晶体管栅极，削成鱼鳍。finFET闪亮登场，制程迈入28nm。
五、其它CVD技术
摩尔定律的每一次艰难推进，背后都有很多曲折的故事。
CVD到今天又经历了很多次版本更新，先后延伸出高密度等离子体CVD(HDPCVD)、金属有机物CVD(MOCVD)等新技术，像之前提到的原子层沉积简称ALD(ATOMIC LAYER DEPOSITION),是一种将CVD的控制水平发展到极致的工艺。每种化学气体以极短的脉冲周期，交替通入，使反应气体在一个周期内，只来得及沉积一层原子就被惰性气体带走排空，这样一来，原本连续的沉积过程被强制打断，可以极其精确的控制膜层厚度，制造出致密程度与覆盖能力极强的超薄膜。这是生产FinFet或者GAA这类立体结构器件的关键，因此在高端芯片的制造中，沉积设备与光刻机、刻蚀机一样重要。
六、国际CVD设备
目前薄膜沉积的设备生产，主要掌握在欧美、日系厂商手中。CVD设备的半壁江山，被美国泛林(Lam)、与应用材料(AMAT)所占有。
而最尖端的ALD市场，近六成被东京电子(TEL)以及荷兰的ASMI所瓜分。
这里注意荷兰光刻叫:ASML
沉积设备叫：阿斯米ASMI
这两家公司是亲父子
七、国产CVD设备
国内CVD厂商以北方华创、中微公司、拓荆科技为主，其中拓荆科技专精于CVD设备尤其在PECVD领域实力不俗。
华创与中微都是先以刻蚀机起家，再逐步拓展CVD业务。
国外往往也是这种思路，因为刻蚀与沉积在反应腔结构、射频电源、低压真空上有诸多相通之处，学会等离子体刻蚀，才做得好等离子体CVD，学会原子层刻蚀，才做得好原子层沉积。
而刻蚀与沉积的技术进步，也会推动其它领域的技术发展，比如EUV光刻机的解锁条件之一就是要使用钼、硅多层结构的超薄膜反射镜。来增强对极紫外光的反射率。
总之科学越往前走，基础学科间的交叉程度就越繁复，未来人类科技能走多远，关键不在于技术的长板有多长，而往往取决于那块短板有多短。