JFET的结构示意图
参考：https://blog.csdn.net/weixin_45882303/article/details/106008695
下图是实际结构图，
下面是原理图和符号表示（参考连接中的图片）
分析
VGS 对电压id的控制（固定VDS）
当让D和S的电压一样，两个耗尽层的宽度随G,S的变化而逐渐增加。因为两个耗尽层（PN节）两端加了反向电压。直到两个耗尽层接触，最终使得电流变为0.最终的结果相当于C图中的形式。C图中的D，S极加了电压，但没关系结果是一样的，只是在中间形成过程中又电场不是矩形的情况。
VDS 对电压id的控制（固定VGS）
图中的耗尽层形状是楔形，因为DS直接形成了电场，但是D到S的电势与G点的压差是不同的。所以相当于PN节每个点之间的电压差是不同的，最终形成的PN节宽度不同。如下图，A和C都是G的电压值，但根据DS电场方向，B的电势是大于E点电势的，所以AB和CE的电压是不同的，导致电压差较大的AB之间形成的反偏PN节到H点，而CE之间的PN节到F点
