1.PMOS 与 NMOS图示，MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain）
源极：它就是来源，是源头，因此电流应该是从源头到别的地方，到哪呢？是漏极，肯定不是栅极，因为栅极是控制极，是发号施令的一个极，因此表演的应该是源极与漏极才对。这样一来，栅极就是导演，源极和漏极就是演员，只不过源极是主演，漏极是副角。这三个角色就在MOS这个舞台上发挥各自的职责
MOS管有两种：一个是PMOS管，一个是NMOS管；PMOS管就是positive管，是积极的管，而NMOS管是negative管，是消极的管。积极的管就是顺应潮流，顺势而为；消极的管就是违背趋势，逆流而上。很显然，电流从源极（输入端）到漏极（输出端），那就是顺势而为，因为源极就是源头嘛，因此这种管就是PMOS管；而电流要是从漏极（输入端）到源极（输出端），那就是逆流而上，是NMOS管
栅极也就是门（gate），既然是门，就具有控制的职能
无论是PMOS管还是NMOS管，我们只需要比较G极电压与S极电压大小关系就可以判断MOS管能不能导通
对于PMOS管来说，电流是从源极（输入端）到漏极（输出端），从上到下，各节点电平应该是依次变小的，因此栅极G的电压必须小于源极电压；换句话说，当UGS<0时，PMOS管才导通。
对于NMOS管来说，电流是从漏极（输入端）到源极（输出端），从下到上，各节点电平应该是依次变小的，因此栅极G的电压必须大于源极电压；换句话说，当UGS>0时，NMOS管才导通。
NMOS是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平（VGS < Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动），但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。 PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。
NMOS因Source端一般接地（低电位），所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压，这样管子才能导通；
PMOS因Source端一般接VDD（高电平），所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压（低与VDD的电压），这样管子才能导通
2.判断NMOS管和PMOS的方法
根据衬底PN结的方向，PN结指向内的为NMOS管，PN结指向外的为PMOS管。
3.PMOS 与 NMOS的应用
(1).下图为USB OTG电源管理分离电路
分析如下
假定左侧无电压，右侧为5V
U14左侧三极管关闭右侧三极管导通，导致Q3 PMOS管关闭，结果为右侧电流无法流入左侧；
假定左侧为5V，右侧无电压
U14左侧三极管导通右侧三极管关闭，导致Q3 PMOS管导通，结果为左侧电流能够流入右侧；
假定左侧为5V，右侧为5V
U14左侧三极管导通右侧三极管导通，导致Q3 PMOS管关闭，结果为左侧与右侧无电流流动；
