1. N沟道MOSFET和P沟道MOSFET；
N沟道MOSFET和NPN晶体管类似；
P沟道MOSFET和PNP晶体管类似；
2.栅极可以是金属或者掺杂质的硅，它真正与源-漏电路绝缘；绝缘层是二氧化硅。
绝缘层很薄，通常小于光的波长，能承受±20V甚至更高的栅极电压；
但是很容易被静电损坏，有时候轻轻一碰就完全损坏。
3.增强型和耗尽型
增强型FET，以N沟道MOSFET为例，它在栅极偏置电压为零或者负值时不导通，只有栅极电位高于源极电位时才开始导通；
耗尽型FET，在制造N沟道FET时将沟道半导体加入杂质，这样即使栅极偏压为零，沟道仍可以大量导电，如果想截断漏极电流，就必须使栅极加几伏的反向偏置；
MOSFET栅极没有极型限制，所以可以制成增强型、耗尽型；
JFET只允许栅极反向偏置，所以只能做成耗尽型；
用图表示增强型和耗尽型的区别
增强型FET，当栅极电位高于源极电位才出现电流；
耗尽型FET，当栅极电位等于源极电位，漏极电流出现几乎最大；
4. 常见的FET类型
JFET总是耗尽型，其栅极电位不能高于源极电位0.5V以上（N沟道）；
MOSFET，很少看到耗尽型，大多是增强型；
所以实际应用中只考虑两种FET，分别是耗尽型JFET和增强型MOSFET；
他们都有两种极型，N沟道和P沟道。
5. 导通原则
当源极接地时，使FET的栅极电压“朝着”漏极供电电压的极性变化，就能使FET导通；适用所有的5种FET；也适用双极性晶体管；
6.MOSFET和JFET电路符号
MOSFET
JFET电路符号
