场效应管与晶体管比较

场效应管与晶体管比较

场效应管的栅极 $g,$源极 $s$ ,漏极 $d$对应于晶体管的基极 $b$,发射极 $e$,集电极 $c$,它们的作用相类似。
一、场效应管用栅–源电压 $u_{cs}$控制漏极电流 $i_D$,栅极基本不取电流。而晶体管工作时基极 总要索取一定的电流。因此,要求输人电阻高的电路应选用场效应管;而若信号源可以提供一定
的电流,则可选用晶体管。
二、场效应管只有多子参与导电。晶体管内既有多子又有少子参与导电,而少子数目
受温度.辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好.抗辐射能力强。所
以在环境条件变化很大的情况下应选用场效应管。
三、场效应管的噪声系数很小,所以低噪声放大器的输入级及要求信噪比R较高的电路应
选用场效应管。当然也可选用特制的低噪声晶体管。
四、场效应管的漏极与源极可以互换使用,互换后特性变化不大。而晶体管的发射极与集
电极互换后特性差异很大,因此只在特殊需要时才互换,成倒置状态,如在集成逻辑电路中。
五、场效应管比晶体管的种类多,特别是耗尽型MOS管,栅–源电压ugs可正、可负、可零，
均能控制漏极电流。因而在组成电路时场效应管比晶体管更灵活。
六、场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路,它们构成了品种繁多的集成电路。
但由于场效应管集成工艺更简单,且具有耗电省、工作电源电压范围宽等优点,因此场效应管越来越多地应用于大规模和超大规模集成电路中。