电机应用检测MOS好坏判断
一般的结构为N+P 或者 N + N
PMOS 内部结构
NMOS结构
如果是N+P MOS结构
上桥时P管下桥是N 管，上桥GS 不需要自举电压
上桥P管时，S极接电源 D极接下管（N）的D极，下管S极接地
根据NMOS 和PMOS的体内二极管去判断好坏
电压表打到二极管档 测量体内二极管压降大致 0.3-0.7V 即为正常
对于N+N结构 先断开电机相线
1，测量GS正向导通电压
上桥N管，黑表笔接G极，红表笔接电机相
下桥N管，红表笔接地，黑表笔接G极
2，测量DS正向导通电压
N管：红表笔接S极 黑表笔接D极
一般烧MOS的原因：
1，导通电流过大 超过ID
2，尖峰电压过压 超过VDS
3，GS电压过大 超过VGS 加稳压二极管
4，温度过高，散热不好 超过耗散功率