在MOS或者IGBT并联使用中,一般都会使用独立栅极电阻,而不会将所有栅极通过一个公共栅极电阻进行硬并联。
如果将所有栅极硬并联,所有IGBT具有相同的Vge,因此各个并联的IGBT不能独立开关。Vgeth(阈值电压)低的IGBT先导通,然后将栅极电压钳位在其米勒平台电压。在其完全导通前,其他IGBT无法进入完全开通状态。因此最先开通的IGBT会承受几乎全部电流,具有较大的开通损耗。
如果使用独立栅极电阻,每一个IGBT的栅极电压便能独立上升。
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