本次得分为：13.32/15.00, 本次测试的提交时间为：2020-03-21, 如果你认为本次测试成绩不理想，你可以选择再做一次再做一次。
【第4章 测试（上）】
1
单选(1分)
半导体存储芯片的译码驱动方式有两种_C__
得分/总分
A.
线选法和复用法
B.
片选法和重合法
C.
线选法和重合法
1.00/1.00
D.
线选法和片选法
2
单选(1分)
以下存储器构成的体系结构中，存储器存取速度由慢到快的排列顺序是_A__
得分/总分
A.
辅存—主存—Cache—寄存器
1.00/1.00
B.
辅存—寄存器—主存—Cache
C.
辅存—主存—寄存器—Cache
D.
主存—辅存—Cache—寄存器
3
单选(1分)
DRAM的刷新方式，是以___B_为单位进行的。
得分/总分
A.
列
B.
行
1.00/1.00
C.
存储单元
D.
行或者列
4
单选(1分)
一般的虚拟存储器系统是由__B_两级存储器构成。
得分/总分
A.
缓存—主存
B.
主存—辅存
1.00/1.00
C.
缓存—辅存
D.
寄存器—缓存
5
单选(1分)
DRAM存储器主要通过__D_来存储信息。
得分/总分
A.
寄存器
B.
磁介质
C.
触发器
D.
电容
1.00/1.00
6
单选(1分)
下列关于主存存取速度说法错误的是 B
得分/总分
A.
通常存取周期大于存取时间
B.
存取周期（Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间
1.00/1.00
C.
存取时间又称为存储器的访问时间，是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间
D.
存取时间分读出时间和写入时间两种
7
单选(1分)
随机存储器按其存储信息的原理不同，可以分为静态RAM和动态RAM两大类。
动态RAM基础电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。为此，必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程称为再生或刷新。
动态RAM的刷新有集中刷新，分散刷新，异步刷新之分。
以下为某动态RAM的的刷新时间分配示意图如下，它的刷新方式为___D__
得分/总分
A.
集中刷新
B.
上图不是刷新时间分配图
C.
异步刷新
D.
分散刷新
1.00/1.00
8
单选(1分)
下列选项中，一般不属于CPU与主存间连线的是_D__
得分/总分
A.
读写控制线
B.
地址总线
C.
数据总线
D.
扩展总线
1.00/1.00
9
单选(1分)
某计算机机器字长为16位，它的存储容量是128KB，按字编址，它的寻址范围是__D_
得分/总分
A.
64KB
0.00/1.00
B.
32KB
C.
32K
D.
64K
10
多选(2分)
与动态RAM相比，静态RAM的特点有_ABC__
得分/总分
A.
速度快
0.67/2.00
B.
位价高
0.67/2.00
C.
功耗大
0.67/2.00
D.
集成度高
11
多选(2分)
主存各存储单元的空间位置是由单元地址号来表示的，不同的机器存储字长也不相同，通常用8位二进制数表示一个字节，因此存储字长都取8的倍数。通常计算机系统即可以按字寻址，也可以按字节寻址。
如下所示，某机器1的字长为32位，它的每一个存储字包含4个可独立寻址的字节，其地址分配如下图（左）所示。某机器2的字长为16位，字地址是2的整数倍，它用低位字节的地址来表示字地址，如下图（右）所示。
以下说法正确的是：AC
得分/总分
A.
设地址线24根, 对于机器1，按字寻址4M
0.66/2.00
B.
设地址线24根, 对于机器2，按字寻址8M
C.
设地址线24根，对于机器1，按字节寻址 2^24 = 16M
0.66/2.00
D.
设地址线24根, 对于机器2，按字寻址4M
12
多选(2分)
以下关于动态RAM和静态RAM刷新操作的描述正确的是_BC__
得分/总分
A.
动态RAM不需要刷新，静态RAM需要刷新
B.
静态RAM不需要刷新
1.00/2.00
C.
动态RAM需要刷新
1.00/2.00
D.
动态RAM和静态RAM都需要刷新
