文章目录
4.1 概述
主要解决两个问题：
1.存储器可分为哪些类型？
2.现代存储器的层次结构，为什么要分层？
4.1.1.存储器的分类
1.按存储介质分类
- 半导体存储器 易失
TTL（集成低，工耗高，速度块）、MDS （工耗低，集成高） - 磁表面存储器 非易失
磁头、载磁体 - 磁芯存储器 非易失
硬磁材料、磁光材料 - 光盘存储器 非易失
激光、激光材料
2.按存储方式分类
- 存取时间与物理地址无关（随机访问）
*随机存储器 [在程序的执行过程中可读可写]
*只读存储器 [在程序执行过程中只读] - 存取时间与物理地址有关（串行访问）
*顺序存取存储器 磁带
*直接存取存储器 磁盘
3.按在计算机中的作用分类分类
4.1.2.存储器的层次结构
1.存储器三个主要特性的关系
2.缓存 — 主存层次 和 主存 — 辅存层次
- 缓存 —主存：这个层次主要解决速度问题
- 主存 — 辅存：这个层次主要解决容量问题
4.2 主存储器
4.2.1概述
1.主存储器的组成
存储体：保存我们的指令和数据
MAR：保存了我们要访问的那个存储单元的地址
（这个地址必须经过译码器译码之后，我们才能选定指定的存储单元）
MDR：保存了我们要读出或写入的数据
（这个数据是读出或写入，要通过读写电路和控制电路来进行控制。如果是写入的话，就把MDR的数据送入到MAR指定的存储单元中，如果是读出，那么指定的存储单元的数据就会送到MDR中）
读写电路：用来控制执行读或写时，数据传输的方向。
2.主存和CPU的联系
CPU和主存之间的连接信号（3类）：
- 数据总线：完成CPU和主存之间的信息传输（所以数据总线直接连接在MDR上，数据总线是双向的，可以读入也可以写出）。
- 控制总线：（这张图只给了两个：读出和写入）由CPU送给主存储器，单项
- 地址总线：连接在MAR寄存器和主存的地址总线之间，给出了要访问的内存单元的地址，所以他是单向的。
3.主存中存储单元地址的分配
假设现在主存的结构 他的存储字长是32位，也就是说我们对这个存储器某个单元进行读或者写，一次最多可以读出或写入32位0,1。另外我们主存的编址单位是字节，每个字节都有一个地址，在这种情况下，一个存储字为32位，一个字节是8位，都有一个地址，那么：
有两种方式：
- 把高位字节的地址作为存储器的地址（四个字节对应四个地址）
- 把低位字节的地址作为存储器的地址
w：word（十六位）
4.主存的技术指标
- 存储容量 主存 存放二进制代码的总位数
- 存储速度
*存取时间 从存储器给出地址一直到稳定的数据输出（写出时间），或者是数据输入写入到给定存储单元中（写入时间）
*存取周期 连续两次独立的存储器操作（读或写）所需的 最小间隔时间 - 存储器的带宽 位/秒
4.2.2半导体芯片简介
两个问题：
1.半导体存储芯片的基本结构
2.半导体存储芯片的译码驱动方式
（线选法，重合法）
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1.半导体存储芯片的基本结构
存储芯片片选线的作用
2.半导体存储芯片的译码驱动方式
（1）线选法
[相当于线性]
A0~A3 四个地址，就是有16个存储单元。由于数据线是从D0~D7,共8位，所以这个存储器是16*8的。
缺点：对容量稍大一点的芯片来说，是非常不合适的。
（2）重合法
[相当于二维阵列]
两者之间的差异：
如果线选法有20条地址线，这20根地址线有一个译码器来译码，输出是1兆条线
如果用重合法，我们就把20个地址给他分为两部分，假如每一部分都是10位，X方向（行）译码，译出来的线是1K条，列译码也是1K条，总计2K条。比线选法的1赵条小很多。
4.2.3随机存取存储器
