功函数：金属的功函数石真空中静止电子的能量和费米能级的差值。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱。
半导体的功函数：同金属
但是半导体存在电子亲和能。导带底和真空能级的差值。
接触电势差：真空中的能级E0是相同的，费米能级是相同的，所以需要有能带弯曲，功函数小的那个能带向下弯曲，功函数大的能带向上弯曲。
对于n型半导体而言，能将电子导出的接触是形成反阻挡层的，也就是说能带要向下弯曲，否则形成阻挡层。
对于P型半导体而言，能将空穴导出的接触是反阻挡层，也就是能带向上弯曲。
接触电势差： 说明白金属一侧的势垒高度是Wm-x
半导体一侧的势垒高度是Wm-Ws
表面态：
按照剧本，势垒高度应该和金属功函数线性变化，事实并非如此，因为有表面态的影响。
表面态：表面晶格不完整而吸附外来原子或离子，他是局域在表面附近的新电子态。 表面态中性能级qfai0.
一般表面态在半导体表面禁带中分布，表面处存在一个距离价带顶为qfai0的能级，电子正好填满qfai0以下的所有表面态时候，表面呈电中性。Qfai0以下的表面态空着的时候，表面带正电，呈现施主型，qfai0以上的表面态填充时候，表面带负电，呈现受主型。对于大多数半导体而言，qfai0约为禁带宽度的1/3.
施主型表面态：qfai0在费米能级之上
受主型表面态：qfai0在费米能级之下
有高密度受主表面态（）10^17）的半导体与金属接触形成势垒的时候，满足金属电荷+半导体电荷+表面态电荷=0，当金属功函数大于半导体功函数的时候，电子从受主表面态流向金属，半导体能带弯曲不变。表面态屏蔽了金属对半导体能带弯曲的影响，势垒高度和金属功函数无关了，称为表面态密度钉扎，称为巴丁模型。
整流理论：
以金属和n 型半导体接触为例：
不加电压的情况下，半导体一侧势垒高度为-qVs。当金属上施加电压V的时候，由于阻挡层是一个高阻区域，因此电压主要降低在阻挡层上，所以半导体内势垒高度变成-q(Vs+V)。当两个电压符号相同的时候，势垒高度增大，否则减小。
表面势Vs=(Ws-Wm)/q。此时表面势<0.
分析静电流的时候是考虑金属流向半导体中的电流不变，而半导体流向金属的电流变化了，所以总电流变化了。
还可以考虑一个问题是考虑场和内建电场的方向相同还是相反。
对于空穴而言，表面势>0.
第一类：扩散理论，势垒层很厚，电子会发生多次碰撞。
第二类：热电子发射理论：能量足够高的时候只要能够越过势垒，依赖于温度，与外加电压无关。反向饱和电流。适用于势垒层薄，电子平均自由程远大于势垒层宽度。
考虑镜像力： 没有镜像力的电势能是从泊松方程接出来的。
镜像力引起势垒降低随反向电压增加而缓慢增加。反向电压比较高的时候，镜像力才比较明显。
怎么形成欧姆接触：这个你已经会了 就是重掺杂造成隧穿。
