前面的几种反型状态都是从半导体器件物理的时候学的，不想再看了。
然后CV特性居然也不是我想要的CV
界面固定电荷：
直接到界面：主要是固定表面电荷，就是引起CV变化，还有使用氧离子注入。认为是在SI和SIO2界面的过剩Si离子导致的，采用的方法就是加上负栅偏压和热处理，果然硅离子在栅偏压的作用下移动。
快界面态：
外表面态是空气和氧化物的界面上，他们和半导体交换电荷时候，电子必须穿过绝缘的氧化层，因此需要很长时间的点和交换，这种外面态又称做慢态。但是在硅和二氧化硅的界面，可以迅速和半导体导带和价带交换电荷，所以称为快界面态。施加不同栅压的时候，界面态中电荷随之改变，界面态发生充放电效应。加负栅压的时候，界面半导体能带抬高，靠近价带的表面态移动到费米能级之上，大部分施主态没有被电子占据，呈现正电性，出现正的界面态附加电荷，补偿金属电极上的负电荷的作用，削弱表面层能带的弯曲和空穴堆积。加正栅压的时候，靠近导带的守住态度向下移动到费米能级时候，电子占据受主界面态，表面出现负的界面态附加电荷，效果也是削弱能带弯曲程度和表面层中的负电荷。
研究表明界面态密度在禁带中呈U形连续分布，在禁带中部界面密度较低，在靠近导带底和价带顶界面态密度迅速增加，不再下降。
陷阱电荷：
辐照感应的空间电荷可以通过热退火消去。
