2018-2019-1 20175314 《信息安全系统设计基础》第5周学习总结
教材学习内容总结
存储技术
随机访问存储器(Random-AccessMem)
- 静态存储器(SRAM)
将每个位存储在一个双稳态的（bitable)存储器单元里。每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。
- 动态存储器(DRAM)
将每个位存储为对一个电容的充电。这个电容非常小，通常只有大约30毫微微法拉 (femtofarad)——30*10^15法拉。不过，回想一下法拉是一个非常大的计量单位。DRAM存储 器可以制造得非常密集——每个单元由一个电容和一个访问晶体管组成。
| 每位晶体管数 | 相对访问时间 | 持续的？ | 敏感的？ | 相对花费 | 应用 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SRAM | 6 | 1X | 是 | 否 | 100X | 高速缓存存储器 |
| DRAM | 1 | 10X | 否 | 是 | 1X | 主存，帧缓冲区 |
非易失性存储器(Nonvolatilememory)
- 在关电后，也仍然保存着存储器的信息
PROM(Programmable ROM)
- 可编程ROM，PROM的每个存储器单元有一种熔丝(fUse),它只能用高电流熔断一次。
可擦写可编程ROM(Erasable Programmable ROM)
- 有一个透明的石英窗口，允许光到达存储单元。EPROM能够被擦除和重编程的次数的数量级可 以达到 1000 次。
电子可擦除 PROM(Electrically Erasable PROM)
类似于 EPROM,但是它不需要一个物理上独立的编程设备，因此可以直接在印制电路卡上编程。EEPROM能够被编程的次数的数量级可以达到105次。
闪存(Flash memory)
一类非易失性存储器，基于EEPROM，它已经成为了一种重要的存储技术。
代码调试中的问题和解决过程
- 问题：
代码托管
感想心得
学习进度条
| 代码行数（新增/累积） | 博客量（新增/累积） | 学习时间（新增/累积） | 重要成长 | |
|---|---|---|---|---|
| 目标 | 5000行 | 30篇 | 400小时 | |
| 第一周 | 200/200 | 1/1 | 20/20 | |
| 第二周 | 300/500 | 1/1 | 10/15 | |
| 第三周 | 200/500 | 1/1 | 10/12 | |
| 第四周 | 500/500 | 1/1 | 12/12 | |
| 第五周 | 300/500 | 1/1 | 10/12 |
计划学习时间:10小时
实际学习时间:12小时