第一部分：第十二课、内存控制器学习过程中的问题
第二节、CPU和不同位宽设备的连接
1、网卡Net，只接了一个LADDR2一个地址线，但最终也会用到LADDR0来分辨读取的数据是高8位还是低8位，不关心LADDR1，为什么？
若不关心LADDR1，可寻址：0x2000 00_0 —— 0x2000 01_1，即4字节空间？
考虑寻址空间时，加上LADDR1不就可以寻址：0x2000 0000 —— 0x2000 0111，即8字节空间吗？
△此说法应该合理？假设原因：SDRAM用到的地址线：A2-A14, A24, A25共17条地址线，而且SDRAM确实是64M大小(两个32M大小的SDRAM组成)。
答：位宽指的是内存类芯片的数据总线宽度，net的数据总线宽度为16bit; 空间大小不知
补：BANK0 总线宽度——BANK0（nGCS0）的数据总线应当配置为 16 位或 32 位的宽度。因为 BANK0 是作为引导 ROM 的 bank（映射到 0x0000_0000），应当在第一个 ROM 访问前决定 BANK0 的总线宽度，其依赖于复位时 OM[1:0]的逻辑电平。
第三节、以Norflash为例，分析内存读写操作的时序图
1、2440芯片同时发出CE#, WE#, OE#, Address，并设置BANKCON0寄存器，为什么程序没有设置CE#, OE#, Address？
答：设置了，1)相应信号在Norflash的实物引脚（开关）：内存控制器根据CPU发出的不同的地址范围，发出不同的片选引脚（Nor/Net/sdram）nGCS_x， （nand不在此列，但Nandflash的数据线接到了数据总线，为防止干扰，它也有一个片选信号(CE)，当CPU访问Nandflash时Nandflash控制器才会片选Nandflash，让其接收数据总线上的数据。）相当于设置了CE#； 内存控制器根据CPU的指令的读取/写入操作设置LnOE、LnWE，相当于编程WE#, OE#。
2)通过设置BANKCON0寄存器，设置了BANK0的访问周期Tacc≥80ns, Tacs、Tcos、Tcoh、Tcah、Tacp、PMC为0，即设置了信号CE#, WE#, OE#, Address的可编程访问周期及相互间的时序。
2、 Norflash启动时，
代码： BANKCON0 = i<<8;
可否替换为：BANKCON0 &= ~(7<<8);BANKCON0 |= (i<<8); LED的流水速度会变化吗？为什么？实验结果：串口工具调试打印界面可以➨
a)输入数字：0~7，现象1：LED不会流水(若初启动不会亮);且串口调试打印界面死机;（现象等同问4中0≤Tacc≤3 时的现象）
b)输入数据: 8/9，现象2：（串口工具打印界面）The Tacc val is error!
The Tacc val should between 0-7!
Enter the Tacc val▒▒
假设：BANKCON0除了设置Tacc外，还需要设置了别的参数，只不过这些参数都是0.
答：实验结果的确验证了假设，BANKCON0除了设置Tacc外，还设置了且必须设置的参数Tacs、Tcos、Tcoh、Tcah、Tacp、PMC为0。此回答，即解释了问题1,2的中的现象。因此，代码：BANKCON0 = i<<8; 替换为：BANKCON0 &= ~(7<<8);BANKCON0 |= (i<<8);
不成立！
3、视频源码烧写到Nandflash演示情况：输入0时（即BANKCON0寄存器Tacc =0）LED灯继续闪烁啊，为什么？
答：应该把拨码开关打到Nor端，且程序下载到NORFlash; 否则，程序直接在SRAM运行；
是否证明：SRAM在CPU发出地址后即可立即提供数据给CPU？是否SRAM的性能极强？启动读/写操作提供数据的时间为0？
4、 同一个程序，使用默认数据访问周期Tacc,即不对芯片的默认数据访问周期Tacc进行操作和优化：
下载到Nandflash的LED闪烁极快,流水15次耗时3.5s左右(每次流水间隔0.23s)，其结果不随BANKCON0设置的而变化;
下载到Norflash的LEd闪烁频率极慢，约流水15次耗时12s左右(每次流水间隔0.8s)走一下;为什么？
答：维基百科资料：
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
个人总结：流水灯程序的本质是在Norflash中不断改写并判断变量i、l的值，然后再不断改写2440芯片的寄存器GPFDAT4,5,6的值。
其中，涉及内存读写，所以Norflash比Nandflash的程序运行速度要慢些，此结论对否？
5、自制的LED程序，功能：流水灯轮流亮15次，停止循环;
实现与现象：a)当在 0≤Tacc≤3 时，LED不会流水;且串口调试打印界面死机;??????????????
b)当在?——4≤Tacc≤7 时，LED灯流水亮;且数越大延时越大;
Tacc = 4 = 6T_hclk = 60ns时，流水灯走完15次，耗时6.9秒; 注：流水灯此时仍可以工作
Tacc = 7 = 14T_hclk = 140ns时，流水灯走完15次，耗时12.6秒;
c)当不设置BANKCON0时,流水灯走完15次，耗时11.8秒;
综述，1)本JZ2440开发板的Norflash芯片的数据访问（读/写）周期Tacc在必须大于60ns，包括CPU从Norflash读指令，否则程序将会卡死，无法执行任何读/写数据访问操作。
2)BANKCON0 的Tacc的默认值的确是0b111,即Tacc = 14T_hclk = 140ns;且若无程序改变，Norflash的数据访问周期Tacc仍将保持140ns不变。
问题：不设置BANKCON0和设置为BANKCON0 &= ~(7<<8);BANKCON0 |= (i<<8);的区别？
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第二部分：复习总结
1、根据电路图，如何确定（片外）芯片的访问地址？
答：1）根据片选信号确定基地址base; 2）根据芯片所接的地址线确定范围addr;
如下：
nor: 基地址：0x0; 地址范围：0~0x1fffff; bank0 空间大小：2M byte; (数据总线)位宽：16bit
net: 基地址：0x2000 0000; 地址范围：0x2000 0000~0x2000 0005; bank4 空间大小：6byte? 不是8？ 位宽：16bit
sdram: 基地址：0x3000 0000; 地址范围：0x3000 0000~0x33FF FFFF; bank6 空间大小：64M byte 位宽：32bit
sram(nor): 基地址：0x40000000; 地址范围：0x4000 0000~0x4004 0000; 空间大小：4K byte; 位宽：不知
sram(nand): 基地址：0x0; 地址范围：0x0 ~0x2004 0000; 空间大小：4K byte; 位宽：不知
nand: 不在CPU统一编址范围内; 空间大小：64M byte; 位宽：
Norflash是静态内存;
Nandflash和SDRAM是动态内存;
SDRAM是同步动态随机存储器，同步是指其时钟频率和CPU前段总线的系统时钟频率相同，并且内部的命令的发送和数据的传输都是以它为基准;
动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据的不丢失; 随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。
2、2440片内特殊功能寄存器地址范围：0x48000000——0x5B00001C;
起始：存储器控制器——BWSCON: 0x48000000; 终结：AC’97音频CODEC接口寄存器——AC_MICDATA: 0x5B00001C
3、内存类(片外)设备和2440芯片的连接引脚有五种：addr, data, LnOE, LnWE, nGCS0;
4、内存控制器用来将CPU的指令拆解成地址、数据、读/写命令并传达给内存类外设，如：Norflash, SDRAM, DM9000;
其内部特殊功能寄存器功能如下：
BWSCON是总线宽度和等待控制寄存器;
BANKCON0寄存器用来配置Norflash的(读/写)访问周期;
5、运行程序时，程序运行期间使用了Norflash/Nandflash+SRAM，SDRAM;只有SDRAM需要进行预先配置，在使用Nandflash时当程序超过4K后Nandflash也需要进行预先配置；
难道Nor/sram/Nand的使用不需要配置吗？
答：1) 使用SDRAM需要配置BWSCON; BANKCON6; BANKCON7; REFRESH; BANKSIZE; MRSRB6; MRSRB7等七个寄存器之后才可使用;
2) 使用Norflash需要配置BANKCON0一个寄存器，设置其访问周期Tacc=80ns，若不设置将自动使用默认BANKCON0的值，Tacc=14HCLK=140ns;
3) 使用Nandflash，S3C2440A引导代码可以在外部NAND Flash存储器上执行。引导启动时，NAND Flash 存储器的开始 4K 字节将被加载到 SRAM 中并且执行加载到 SRAM 的引导代码。通常引导代码会复制 NAND Flash 的内容到 SDRAM 中。通过使用硬件 ECC，有效地检查 NAND Flash 数据。在复制完成的基础上，将在 SDRAM 中执行主程序。并且，当程序大于4K时，需要设置
6、其他
1)程序可以直接在Norflash，sram，SDRAM上运行，而不可以在Nandflash上运行。
2)Norflash可以像内存一样读，但是写需要一些特殊的指令操作解锁之后才可以写操作。但这指的是全局变量，静态变量之类存放到.data段的变量;
这并不包括局部变量，寄存器，局部变量分配在sram中，寄存器的存储空间在2440芯片中，对存储空间的操作均不在Norflash上，对否？
3)CPU发出的地址/指令可以直接到达SDRAM、Nor、SRAM、Nandflash控制器; 但不可直接到达Nandflash。
4）对于Norflash之Read操作： 1BusCycle RA RD
RA=要读取的内存地址; RD=要在RA位置读取的数据。
因此，对于Norflash可以直接在上面运行程序，但是栈区需要设置到SRAM的顶端，以便存放局部变量;