Norflash的测试：
1、读数据：
md.b 0
2、识别Norflash（Read silicon ID命令）
mw.w aaa aa
mw.w 554 55
mw.w aaa 90
读取ID：读0地址得到厂家ID —— C2H
读1地址得到设备ID —— 22DAH 或 225BH
RESET —— 给任意地址写 F0H
3、擦除Norflash上的某个扇区（Sector Erase命令）
mw.w aaa aa
mw.w 554 55
mw.w aaa 80
mw.w aaa aa
mw.w 554 55
mw.w 扇区 30
4、对某个地址进行操作(CFI命令读取器件的各种参数)
进入CFI命令：
mw.w aa 98
读参数:
md.w xxxx 1
写操作（先擦出再烧写）:
mw.w aaa aa
mw.w 554 55
mw.w aaa a0
mw.w addr data
1、对于Norflash的读参数函数nor_data()为什么输出结果不一样？
unsigned int nor_read_word(unsigned int base, unsigned int offset)
{
volatile unsigned short *p = (volatile unsigned short *)(base + (offset<<1));
return *p;
}
引用情景：
I. blocks = (1 + nor_data(region_info_addr) + nor_data(region_info_addr + 1)<<8); //输出：256， 521， 256， 7936;
II. blocks = 1 + nor_data(region_info_addr) + (nor_data(region_info_addr+1)<<8); //输出： 1， 2， 1， 31
a. block_size = 256*(((nor_data(region_info_addr + 3))<<8) + nor_data(region_info_addr + 2));
b. block_size = 256 * (nor_data(region_info_addr+2) + (nor_data(region_info_addr+3)<<8));
原因：算数运算符±的优先级大于位运算符<<和>>
2、问题：Sector Erase操作时，擦除的是多大的flash空间呢？整个Sector/扇区block? 还是4个字节？每次擦除操作的擦除单元是多大？
答：应该是整个扇区（16k, 8k, 32k, 64K），验证就是整个扇区。但经过实际jz2440,mini2440开发板上机验证，证明擦除单元是block，可能是norflash的性能提升了。
3、CFI数据结构(数据库)的地址和含义表
地址：10H —— 39H;
4、对Norflash进行写入命令/命令序列（包括编程数据到设备和擦除内存扇区），系统必须将WE#和CE#驱动到VIL(逻辑低-低电平)，
并将OE#驱动到VIH（逻辑高-高电平）
但是，为什么视频程序中对flash的芯片的操控没有涉及这些引脚的配置呢？
MINI2440开发板：
NOr：S29AL016J70TF102
Nand：
答：不知道，可能是BANKCON0中已经设置了。
5、条件判断的依据是什么？以前的知识是讲0是假非0就是真，其底层逻辑呢？
if(a[i]) {}
if(i) {}
是判断a[i] ?= 0 还是判断a[i] ?= '\0’呢？
是判断i ?= 0 还是判断 i ?= '\0’呢？
a[i] = 0;即a[i] = ‘\0’;
6、烧写异常！
Enter the string to write: wakakakawalalala //在输入第一个字符’k’时错输入为’l’,修改了一次！
Enter the address to read: 0x00004000
Data:
00004000h: 77 61 6c 08 6b 61 6b 61 6b 61 77 61 6c 61 6c 61 ;wal.kakakawalala
这是string_utils.c文件的bug, 以后注意！
7、进行Norflash和Nandflash读写擦除操作时，应屏蔽定时器中断！