RAM（Random Access Memory）,即随机访问存储器。其内部存储单元的内容可按需随意的取出或存入，且存、取的速度与存储单元在存储芯片中的位置无关。不过这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。一些典型的RAM芯片种类分别介绍如下：
SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机访问存储器。它是一种具有静态存、取功能的内存，即不需要任何额外电路的情况下，就能够将其内部存储的数据保持很长时间不会丢失。优点是性能高、速度快，但缺点就是为了能够长时间的保持数据，其内部存储单元电路往往结构较为复杂（通常为六管的NMOS），所以SRAM芯片的集成度往往较低，且价格往往较高。
DRAM（Dynamic Random Access Memory）,即动态随机访问存储器。它与SRAM最大的区别就是只能将数据保持很短的一段时间，因此为了延长数据的保存时间，必须要配合使用专门的刷新电路。通常来说，DRAM芯片每隔一段时间就必须要刷新充电一次，否则其内部存取的数据将会因为慢慢的放电效应而丢失，因此它的缺点就是相比于SRAM芯片性能较低。但是DRAM不能长时间保存数据的原因是它简化了存储单元电路的结构（通常为三管NMOS甚至单管NMOS），故其主要的优点就是集成度高，因此其等容量的价格也更便宜。
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），即同步动态随机访问存储器。其中，同步是指存储器在工作的时候需要同步时钟信号，无论存储芯片内部命令的发送还是数据的传输，都必须以时钟信号为基准；而动态是指存储阵列需要不断刷新来保证数据不丢失，因此，SDRAM是DRAM的一个分支。
SDRAM芯片的发展已经经历了很多代，分别是——第一代的SDR SDRAM、第二代的 DDR SDRAM、第三代的 DDR2 SDRAM，第四代的DDR3 SDRAM...截止到今天，很多显卡芯片中都已采用了DDR5 SDRAM。
其中，新一代的SDRAM采用的是SDR接口，而接下来的几代由于工作频率比较快，所以均采用了可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟，并且都是基于DDR接口的。这些接口的内容后面也会有相应的博文介绍。
本文内容来自《FPGA之道》