一、与三极管的区别
- 三极管是电流控制，MOS管是电压控制，只容许从信号源取少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。
- MOS管是单极性器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
- 有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
- MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。
- MOS管输入阻抗大，低噪声。
- MOS管较贵，三极管的损耗大。
- MOS管常用来作为电源开关，以及大电流开关电路、高频高速电路中，三极管常用来数字电路开关控制。
二、GS串联电阻作用
- MOS管的输入阻抗很大，容易受外界信号的干扰，只要少量的静电，就会使G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些静电泄放掉，两端的高压就会使MOS管产生误动作，甚至有可能击穿G-S极；
- 提供偏置电压。
三、G极串联电阻作用
- 减缓Rds从无穷大到Rdson；
- 防止震荡，一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感，在电压突变的情况下，可能与栅极电容形成LC震荡，串联电阻可以增大阻尼减小震荡效果；
- 减小栅极充电峰值电流。
四、米勒效应
1、什么是米勒效应
MOS管的米勒效应是由于MOS管内部的米勒电容导致的。
当对MOS管的G极加电压时，MOS管的开启和关闭其实是对GS之间的电容Cgs进行充放电，当充电电压达到开启电压时，MOS管会导通；MOS导通之后，Vds电压会下降，Ids上升，此时MOS管趋近饱和，由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不上升，这个不变的地方叫米勒平台，此时Ids已经达到最大，Vds还在继续下降，等到米勒电容充满电，Vgs会继续升高，直到MOS管彻底导通，Vds几乎为0。
可以看出，因为米勒电容的作用，使MOS管开启时间变慢，因为MOS管的开通是一个从无到有的过程，D极和S极交叠的区域变大，MOS管损耗变大。
2、米勒效应产生的原因
我们知道在MOS导通前，D极电压大于G极电压，MOS管寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和，因为MOS管完全导通后G极电压是大于D极电压的。
关于米勒效应的详细文章，可以参考传送门：MOS管的米勒效应
