2.2 存储器
存储器主要可分为只读存储器（ROM）、闪存（Flash）、随机存取存储器（RAM）、光/磁介质存储器。
ROM还可再细分为不可编程ROM、可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）和电可擦除可编程ROM（E2PROM），E2PROM完全可以用软件来擦写，已经非常方便了。
NOR（或非）和NAND（与非）是市场上两种主要的Flash闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，每位的成本被大大降低。
NOR Flash和CPU的接口属于典型的类SRAM接口（如图2.5所示），不需要增加额外的控制电路。NOR Flash的特点是可芯片内执行，程序可以直接在NOR内运行。而NAND Flash和CPU的接口必须由相应的控制电路进行转换，也可以通过地址线或GPIO产生NAND Flash接口的信号。NAND Flash以块方式进行访问，不支持芯片内执行。
图2.5 典型的类SRAM接口
公共闪存接口（Common Flash Interface，CFI）是一个从NOR Flash器件中读取数据的公开、标准接口。它可以使系统软件查询已安装的Flash器件的各种参数，包括器件阵列结构参数、电气和时间参数以及器件支持的功能等。如果芯片不支持CFI，需使用JEDEC（
Joint Electron Device Engineering Council，电子电器设备联合会）了。JEDEC规范的NOR无法直接通过命令来读出容量等信息，需要读出制造商ID和设备ID，以确定Flash的大小。
与NOR Flash的类SRAM接口不同，一个NAND Flash的接口主要包含如下信号：
I/O总线：地址、指令和数据通过这组总线传输，一般为
8位或16位。
芯片启动（Chip Enable，CE）：如果没有检测到CE信号，NAND器件就保持待机模式，不对任何控制信号做出响应。
写使能（Write Enable，WE）：WE负责将数据、地址或指令写入NAND中。
读使能（Read Enable，RE）：RE允许数据输出。
指令锁存使能（Command Latch Enable，CLE）：当CLE为高电平时，在WE信号的上升沿，指令将被锁存到NAND指令寄存器中。
地址锁存使能（Address Latch Enable，ALE）：当ALE为高电平时，在WE信号的上升沿，地址将被锁存到NAND地址寄存器中。
就绪/忙（Ready/Busy，R/B）：如果NAND器件忙，R/B信号将变为低电平。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
NAND Flash较NOR Flash容量大，价格低；NAND Flash中每个块的最大擦写次数是100万次，而NOR Flash的擦写次数是10万次；NAND Flash的擦除、编程速度远超过NOR Flash。
由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生1位或几位数据错误，即位反转，NAND Flash发生位反转的概率要远大于NOR Flash。位反转无法避免，因此，使用NAND Flash的同时，应采用错误探测/错误更正（EDC/ECC）算法。
Flash的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1。因此，在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF。另外，Flash还存在一个
负载均衡的问题，不能总是在同一块位置进行擦除和写的动作，这样容易导致坏块。
目前，NOR Flash可以使用SPI接口进行访问以节省引脚。相对于传统的并行NOR Flash而言，SPI NOR Flash只需要6个引脚就能实现单I/O、双I/O和4个I/O口的接口通信，有的SPI NOR Flash还支持DDR模式，能进一步提高访问速度到80MB/s。
IDE（Integrated Drive Electronics）接口可连接硬盘控制器或光驱，IDE接口的信号与SRAM类似。通常也把IDE接口称为ATA（Advanced Technology Attachment）接口，不过，从技术角度而言，这并不准确。其实，ATA接口发展至今，已经经历了ATA-1（IDE）、ATA-2（Enhanced IDE/Fast ATA，EIDE）、ATA-3（FastATA-2）、Ultra ATA、Ultra ATA/33、Ultra ATA/66、Ultra ATA/100及Serial ATA（SATA）的发展过程。
很多SoC集成了一个eFuse电编程熔丝作为OTP（One-Time Programmable，一次性可编程）存储器。eFuse可以通过计算机对芯片内部的参数和功能进行配置，这一般是在芯片出厂的时已经设置好了。
以上所述的各种ROM、Flash和磁介质存储器都属于非易失性存储器（NVM）的范畴，掉电时信息不会丢失，而RAM则与此相反。
RAM也可再分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。DRAM以电荷形式进行存储，数据存储在电容器中。由于电容器会因漏电而出现电荷丢失，所以DRAM器件需要定期刷新。SRAM是静态的，只要供电它就会保持一个值，SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成。
通常所说的SDRAM、DDR SDRAM皆属于DRAM的范畴，它们采用与CPU外存控制器同步的时钟工作（注意，不是与CPU的工作频率一致）。与SDRAM相比，DDR SDRAM同时利用了时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，因此在时钟频率不变的情况下，数据传输频率加倍。此外，还存在使用RSL（Rambus Signaling Level，Rambus发信电平）技术的RDRAM（Rambus DRAM）和Direct RDRAM。