场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。[1]
中文名 场效应管 外文名 Field Effect Transistor 别 称 场效应晶体管 表达式 FET 应用学科 物理 适用领域范围 电学
特点:
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
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产品型号 电压参数 电流参数 阻值参数 封装参数
AH60N03 电压/30V 电流/60A 内阻/13mΩ 封装 TO-252/TO-220铁
AH20N03 电压/30V 电流/20A 内阻/26mΩ 封装 TO-252/SOP-8
AH60P18 电压/60V 电流/65A 内阻/10mΩ 封装 TO-252
AH80N03 电压/30V 电流/80A 内阻/10mΩ 封装 TO-252
AH20N04 电压/40V 电流/20A 内阻/35mΩ 封装 TO-252
AH30P11 电压/30V 电流/52A 内阻/8mΩ 封装 DFN3*3-8L
AH85N03 电压/30V 电流/85A 内阻/ 8mΩ 封装 TO-252
AH30P03 电压/30V 电流/30A 内阻/30mΩ 封装 TO-252
AH30P13 电压/30V 电流/42A 内阻/8mΩ 封装 DFN3*3-8L
AH150N03 电压/30V 电流/150A 内阻/4mΩ 封装 TO-220铁
AH4407 电压/30V 电流/14A 内阻/8mΩ 封装 SOP8
AH60N04 电压/40V 电流/60A 内阻/ 5mΩ 封装 TO-252
AH20N06 电压/60V 电流/20A 内阻/50mΩ 封装 TO-252
AH60N08 电压/60V 电流/80A 内阻/10mΩ 封装 TO-252
AH75N75 电压/75V 电流/75A 内阻/9 mΩ 封装 TO-220铁
AH50N06 电压/60V 电流/50A 内阻/20mΩ 封装 TO-252/TO-220F/SOP-8
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