提供Nb2CTx@MoS2@C三维互联结构复合物的合成及性能表征

MXenes是具有多个官能团的类石墨烯二维层状材料,具有良好的二维结构和理想的性能,如优异的金属导电性、亲水性和可调的表面化学。因此,MXenes在储能和能量转换领域得到了越来越多的研究。而在金属硫化物中,二硫化钼因其高理论比容量(670 mAh/g)和层状结构而而十分适合储钠.

图1. 3D Nb2CTx@MoS2@C 复合框架体系合成流程示意图。

将二维二硫化钼生长在二维Nb2CTx纳米片上,实现了二维结构的三维化(图2)。并通过等温脱吸附和孔径分析说明材料以微介孔为主。紧接着通过XRD、Raman及XPS等物理表征,证明了MoS2主要以2H-MoS2的形式存在并与Nb2CTx形成了新的键。这也是Nb2CTx@MoS2@C在钠离子半电池中表现出优异倍率性能的原因(图4)。从图4c,f可以看出Nb2CTx@MoS2@C不论是0.1 A/g小电流密度还是 1 A/g大电流密度下均具有十分突出的稳定性,在200圈和2000圈循环后分别具有530 mAh/g和403 mAh/g的比容量。甚至在20 A/g的大电流下循环1000圈仍能具有200 mAh/g左右的比容量。此外通过图e的倍率性能的横向对比可以看出,Nb2CTx@MoS2@C相比于其他MoS2基钠离子半电池无论是比容量还是倍率性能都有了极大提高。图5是Nb2CTx@MoS2@C钠离子半电池的动力学分析。Nb2CTx@MoS2@C阳极主要以电容形式的贡献为主,并且具有较低的阻抗。通过GITT测试及分析可以计算出,在Nb2CTx@MoS2@C为阳极的钠离子半电池体系中钠离子扩散系数数量级在-10到-12之间。最后通过非原位及原位对Nb2CTx@MoS2@C阳极在不同电位时的状态进行了研究(图6)。

图二. 3D Nb2CTx@MoS2@C的形貌表征和BET测试。

图三. 3D Nb2CTx@MoS2@C的XRD、Raman及XPS表征。Nb2CTx@MoS2@C、MoS2@C和少层Nb2CTx a)XRD 和b) Raman表征. c-f) C1s、Nb3d、S2p和Mo3d的XPS分峰结果。

图四. Nb2CTx@MoS2@C阳极钠离子半电池测试结果。a) Nb2CTx@MoS2@C前三圈CV循环曲线. b) 不同圈数下的恒流充放电曲线. Nb2CTx@MoS2@C、Nb2CTx@MoS2和MoS2@C的c) 0.1 A/g 电流密度下循环稳定性测试. d) 倍率性能 f) 1 A/g 电流密度下循环稳定性测试. e) MoS2基倍率性能横向对比. g) Nb2CTx@MoS2@C大电流倍率性能测试. h) Nb2CTx@MoS2@C 20 A/g 大电流循环测试.

图五. Nb2CTx@MoS2@C钠离子半电池电动力学分析。a) 0.2-1.2 mV/s 扫速下CV循环曲线. b) B1值直线拟合. c-e)不同扫速下表面控制和扩散控制的比例. f-g) Nb2CTx@MoS2@C、Nb2CTx@MoS2、MoS2@C和Nb2CTx的EIS阻抗测试. h)GITT测试及扩散系数.

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图六. 钠离子脱嵌入过程研究。a-c) 不同电位下原位XRD测试. d-e) 不同电位下Nb2CTx@MoS2@C电极表面非原位Na元素元素分布.

通过水热法在高导电的Nb2CTx MXene框架上生长MoS2纳米片,并用PDA炭化,成功合成了Nb2CTx@MoS2@C三维互联结构复合物。3D Nb2CTx@MoS2结构在Nb2CTx MXene骨架与MoS2活性材料之间建立了高效的电荷转移通道,而PDA衍生的C涂层保证了结构的高稳定性,又紧密了材料间的联系。Nb2CTx@MoS2@C负极材料在钠离子电池中作为负极存储Na+时表现出很高的倍率性能、可逆容量和高稳定性。

我们可以合成从零维/一维/二维/三维四个分类来提供几十个产品分类和几千种纳米材料,以及他们的氧化物或碳化物及复合定制材料等等。

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zzj 2021.4.6

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