1.左边是一个内存条，该内存条是双通道2G内存（上下），简称为DIMM；DIMM的单面称作rank，
2.内存条上黑色的128MB内存芯片，简称为IC
3.该内存条是双面内存，正反两面共有16个IC，16*128M=2GB，它就是由rank1，rank2两个单面组成，每个面有8个IC
4.每个IC内部通常由8个bank组成，这些bank共享一个memory I/O controller，但是在每个bank内部的读写，可以并行进行
5.每个bank内部包括行地址解码器，列地址解码器，传感放大器，以及DRAM内存阵列
6.DRAM：由行列组成，每个行列交叉的单元，表示n bit，通常是8bit或者16位
7.内存读写的最小单位就是这些交叉单元
8.内存芯片=128M的计算方法
16,384 rows/bank x 1,024 columns addresses/row x 1 byte/column address x 8 stacked banks=128M
解释：
一共8 stacked banks ，每个banks包含16k页面，也就是16,384 rows/bank
每行有1k列，1,024 columns addresses/row ，每列8byte，1 byte/column address
【DRAM】
1.DRAM:动态随机存取存储器
2.组成：一个晶体管和一个电容
3.工作原理：利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0
4.问题：由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据
解决：每秒至少动态刷新16次，否则可能会丢失 存储的内容；刷新的方法是让存储单元每次被 读取时能自我刷新
【RowHammer】
1.RowHammer背景：
利用临近内存临近单元间的耦合效应，在访问一行足够多的次数后，相邻行中DRAM单元的电容电荷更快地泄漏 如果在下一次定时刷新之前，泄露了足够多的电荷，就会使一个bit 发生翻转
2.RowHammer原理： 选择相邻行进行频繁访问，就可以修改一些critical bit RowHammer
3.分类：
single-sided rowhammer：访问与受害者行相邻的一行
double-sided rowhammer：交替访问与受害者行相邻的两行
one-location hammering：重复访问某行中的一个位置，以攻击目标行
【参考文档】
1.DRAM 内存介绍：https://blog.csdn.net/qq_39759656/article/details/81672895