系统概述：
IGBT作为目前主流的电力半导体开关器件，已广泛应用于电力电子相关行业，一台轻巧便携的测试仪就显得尤为重要。便携式IGBT测试仪，是一种全新的 功率半导体器件参数测试仪器，可用于额定电流在2-100A的IGBT和MOS管主要静态参数的测试。仪器与配套电脑连接使用，通过友好人机界面操作，便于各 测试参数的组合、数据结果以表格形式呈现，具有使用便捷、测试精度高等优点，适合于各测试器件使用现场及产线维护场合使用。
该测试系统具有如下特点：
该测试系统是一套综合参数测试系统，对设备自身的抗干扰能力要求较高，因此难度比较 大；
该测试系统完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试；
该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为 EXCEL 文件进行处理。
该测试系统主要由以下部分组成：
栅极-发射极漏电流测试单元
栅极-发射极阈值电压测试单元
集电极-发射极电压测试单元
集电极-发射极饱和电压测试单元
二极管压降测试单元
二极管反向击穿电压测试单元
测试范围/Test range
栅极/Gate
发射极/Emitter
VGES：1-40V 分辨率/Resolving power 0.1V
IGES：0.1-10Ua 分辨率/Resolving power 0.01uA
Vce：0V
集电极/Collector
发射极/Emitter
Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V
Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA
栅极发射极阈值电压
Grid emitter threshold voltage
Vge(th)：1-10V 分辨率/Resolving power 0.1V
集电极Collector/发射极Emitter
饱和电压/Saturation voltage
VCE(sat)：0.2-5V 分辨率/Resolving power 0.01V
ICE：10-100A 分辨率/Resolving power 1A
二极管/Diode
压降/Pressure drop
VF：0.01-5V 分辨率/Resolving power 0.01V
IF：1-100A 分辨率/Resolving power 1A
Vge：0V
二极管反向最大/Diode reversal maximum
可恢复直流电压/Recover dc voltage
Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V
Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA
