ENJ2005-B 半导体分立器件测试系统

系统概述:

设备扩展性强,通过选件可以提高电流和测试范围。支持电流阶梯升级至1250A。采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300uS。在PC窗口提示下输 入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。被测器件引脚接触自动判断功能。系统采用带有开尔文感应结构的测试工装,自动补偿由于系统内部及测试电 缆长度引起的压降,保证测试结果准确可靠。 面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工 作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的连接使用。
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测试参数:

漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO

增益参数:hFE、CTR、gFS、

导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

关断参数:VGSOFF

触发参数:IGT、VGT

保持参数:IH、IH+、IH-

锁定参数:IL、IL+、IL-

基础配置:

技术参数

ENJ2005-B型

主极电流

100nA-50A

扩展电流

100A、500A、1000A、1200A

电压分辨率

1mV

电流分辨率

1nA(可扩展至10pA)

测试精度

0.2%+2LSB

测试速度

0.5mS/参数

测试范围:

测试范围:

01

二极管 / DIODE

02

晶体管 / NPN型/PNP型

03

J型场效应管 / J-FET

04

MOS场效应管 / MOS-FET

05

双向可控硅 / TRIAC

06

可控硅 / SCR

07

绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT

08

硅触发可控硅 / STS

09

达林顿阵列 / DARLINTON

10

光电耦合 / OPTO-COUPLER

11

继电器 / RELAY

12

稳压、齐纳二极管 / ZENER

13

三端稳压器 / REGULATOR

14

光电开关 / OPTO-SWITCH

…其它器件共19大类27分类

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