MOS管选型哪些参数最主要考虑的，有四个参数需要重点选型，方案商选型MOS管的时候，有什么问题不懂或疑问的可以咨询厂商工程师。
MOS管主要参数：
1、开启电压VT
开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V
2、直流输入电阻RGS
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
这一特性有时以流过栅极的栅流表示
MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω
3、漏源击穿电压BVDS
在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
•ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
•有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4、栅源击穿电压BVGS
在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
