【STM32】FLASH擦写+FLASH相关操作+注意事项

有关FLASH读写的函数：

有关库函数：

实现掉电不丢失的主函数（Flash一定要先擦后写）：

#define FLASH_START_ADDR  0x0801f000	  //写入的起始地址


int main (void){//主程序
	u16 a; //定义变量
	//初始化程序
	RCC_Configuration(); //时钟设置
	LED_Init();//LED初始化
	KEY_Init();//按键初始化

    a = FLASH_R(FLASH_START_ADDR);//从指定页的地址读FLASH

	GPIO_Write(LEDPORT,a); //直接数值操作将变量值写入LED（LED在GPIOB组的PB0和PB1上）

	//主循环
	while(1){

		//示例4：有锁存
		if(!GPIO_ReadInputDataBit(KEYPORT,KEY1)){ //读按键接口的电平
			delay_ms(20); //延时20ms去抖动
			if(!GPIO_ReadInputDataBit(KEYPORT,KEY1)){ //读按键接口的电平
				//在2个LED上显示二进制加法
				a++; //变量加1
				if(a>3){ //当变量大于3时清0
					a=0; 
				}
				GPIO_Write(LEDPORT,a); //直接数值操作将变量值写入LED（LED在GPIOB组的PB0和PB1上）

				FLASH_W(FLASH_START_ADDR,a); //从指定页的地址写入FLASH

				while(!GPIO_ReadInputDataBit(KEYPORT,KEY1)); //等待按键松开 
			}
		}
	}
}

Tips：FLASH操作注意事项:

1. 操作一定要先擦后写。
2. 每页是1024个地址，起始地址0x08000000 擦除操作以页为单位，写操作则必须以16位宽度为单位，允许跨页写入。
3. STM32内置FLASH擦或写时，必须打开外部/内部高速振荡器。
4. FLASH可多次擦写10万次，不可死循环擦写。
5. 擦写时要避开用户程序存储区的区域，否则会擦掉用户程序导致错误。
6. 擦除一页要10ms（对于1k大小的一页），比较慢。而且不能单个字节的擦写。

Tips：F103C8T6页对应地址：

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拓展：

1、写保护功能（禁止写入）：

2、读保护功能（禁止读出）：