描述
德州仪器（TI）MSP430系列超低功耗微控制器由多个器件组成，具有针对各种应用的不同外设集。该架构与五种低功耗模式相结合，经过优化，可在便携式测量应用中实现更长的电池寿命。该器件具有功能强大的16位RISC CPU，16位寄存器和恒定发生器，有助于实现最高的代码效率。数字控制振荡器（DCO）允许在不到1μs的时间内从低功耗模式唤醒到活动模式。
品牌：TI
型号；MSP430F2370IRHAR
封装：QFN40
包装：2000
年份：18+
MSP430F23x0系列是一款超低功耗微控制器，具有两个内置16位定时器，一个通用串行通信接口（USCI），一个通用模拟比较器和32个I / O引脚。
特性
FAE:13723714318
低电源电压范围：1.8 V至3.6 V.
超低功耗
有源模式：1 MHz时为270μA，2.2 V
待机模式：0.7μA
关闭模式（RAM保持）：0.1μA
待机模式下的超快速唤醒时间小于1μs
16位RISC架构，62.5 ns指令周期时间
基本时钟模块配置
内部频率高达16 MHz
四个校准频率为±1％
内部超低功耗低频（LF）振荡器
32kHz晶体
高达16 MHz的高频（HF）晶体
谐振器
外部数字时钟源
外部电阻
具有三个捕捉/比较寄存器的16位Timer_A
16位Timer_B具有三个捕捉/比较寄存器
用于模拟信号比较功能的片上比较器
斜率模数（A / D）转换
通用串行通信接口
增强型UART支持自动波特率检测（LIN）
IrDA编码器和解码器
同步SPI
I2C™
掉电探测器
串行板载编程，无需外部编程电压，
安全保险丝可编程代码保护
Bootstrap Loader
片上仿真模块
家庭成员包括：
MSP430F2330：8KB + 256B闪存，1KB RAM
MSP430F2350：16KB + 256B闪存，2KB RAM
MSP430F2370：32KB + 256B闪存，2KB RAM
采用40引脚QFN封装和49引脚裸片BGA封装
BCL16 BCS模块
类别功能
功能SMCLK时钟源选择从XT1 / VLO到DCO
描述当MCLK和SMCLK不使用DCO时，DCO关闭。 DCO确实如此
如果SMCLK的时钟源从XT1 / VLO更改为DCO，则无法启动。结果是，
SMCLK仍然很高。注意：这仅适用于SMCLK。如果时钟，DCO启动MCLK的源设置为DCO。
解决方法通过以下任一方法将MCLK的时钟源设置为DCO：
1）将BCSCTL2寄存器的选择位SELMx设置为“00”或“01”。要么
2）设置IFG1寄存器的OFIFG位。注意：这会触发振荡器故障逻辑自动启动DCO。复位OFIFG位以进一步使用XT1 / VLO。
对于这两个选项，如果仍需要XT1 / VLO来源MCLK，则还原时钟源之后MCLK回到XT1 / VLO。CPU14 CPU模块
类别功能
功能复位后SCG0的错误设置
描述CPU状态寄存器（SR）中的SCG0位在任何复位（PUC或POR）后置位
设置复位向量目标地址中的＃6。设置SCG0会关闭DCO直流
DCOCLK不用于MCLK或SMCLK时的发生器。
解决方法1）由于错误仅发生在PUC或POR之后，因此清除SCG0位就足够了
程序代码的开头;例如：
bic.w＃SCG0，SR
2）避免使用设置了位＃6的复位目标地址。允许的重置向量
目的地址是：xx0xh，xx1xh，xx2xh，xx3xh，xx8xh，xx9xh，xxAxh，xxBxh。
CPU19 CPU模块
类别编译器 - 固定
功能CPUOFF修改可能导致无意的寄存器读取
描述如果修改状态寄存器中CPUOFF位的指令后跟一个
带有间接寻址操作数的指令（例如MOV @ R8，R9，RET，POP，POPM），
在唤醒CPU期间可能发生无意的寄存器读操作。如果
无意读取发生在读敏感寄存器（例如UCB0RXBUF，TAIV）中
更改其值或其他寄存器（IFG）的值，该错误会导致中断丢失或错误的寄存器读取值。
说明调试期间，读取敏感中断标志可能会立即清除调试器停止。这在单步和自由运行模式下均有效。解决方法无。
FLASH19 FLASH模块
类别功能
功能EEI功能不适用于RAM中的代码执行描述从RAM执行程序时，闪存控制器EEI功能不起作用。擦除周期暂停，中断服务，但是存在问题用擦除周期恢复。应用于闪存的地址与恢复擦除时的实际值不同ISR执行后循环。解决方法无FLASH22 FLASH模块
类别功能
功能Flash控制器可能会阻止正确的LPM输入
描述当ACLK（或SMCLK）用作闪存控制器时钟源和此时钟时
闪存擦除或写入时，由于低功耗模式进入，源被禁用
操作正在等待，闪存控制器将保持ACLK（或SMCLK）激活
闪光操作已经完成。这将导致不正确的LPM条目和
增加电流消耗。请注意，此问题只能在Flash时发生操作和低功耗模式条目从位于RAM中的代码启动。
解决方法闪存擦除或写入操作处于活动状态时，请勿进入低功耗模式。等待在进入低功耗模式之前要完成的操作。
FLASH24 FLASH模块
类别功能功能写入或擦除紧急出口可能导致故障说明当闪存写入或擦除突然终止时，以下闪存访问由
CPU可能不可靠，导致错误的代码执行。突然终止
可能是以下事件之一的结果：
1）闪存控制器时钟配置为由外部晶振提供。一个发生振荡器故障，从而突然停止该时钟。
2）设置强制退出位（FCTL3中的EMEX）强制写入或擦除操作在正常完成前终止。
3）当使用GIE = 1设置时，启用紧急中断退出位（FCTL1中的EEIEX）在Flash操作期间导致紧急退出的中断。
解决方法1）使用内部DCO作为MCLK或SMCLK提供的闪存控制器时钟。
2）设置EMEX = 1后，在访问Flash之前等待足够的时间。
3）没有解决方法。不要使用EEIEX位。
FLASH27 FLASH模块
类别功能
功能EEI功能可以中断段擦除
说明当选择了EEI功能时，闪光段擦除操作处于活动状态（EEI = 1 inFLCTL1）和GIE = 0，可能发生以下情况：
中断事件导致闪存擦除停止，闪存控制器需要RETI恢复擦除。因为GIE = 0，所以没有中断服务，RETI也会服务
永远不会发生
解决方法1）当GIE = 0时，不要将EEI = 1置位。
2）在检查BUSY = 1期间，在擦除操作期间强制执行RETI指令（FCLTL3）。
示例代码：
MOV R5,0（R5）;虚拟写，擦除段
LOOP：BIT #BUSY，＆FCTL3;测试忙位
JMP SUB_RETI;强制RETI指令
JNZ LOOP; BUSY = 1时循环
SUB_RETI：PUSH SR
RETI
FLASH36 FLASH模块
类别功能
功能Flash内容可能会因页面擦除而中断描述如果EEIEX中止了页面擦除，则闪存页面包含之前的最后一条指令
擦除操作将开始降级。这种效果是递增的，重复之后，可能会导致闪存内容损坏。解决方法 - 使用EEI（中断擦除）功能代替EEIEX（中止擦除）。
- 可以使用边缘读取在受影响的闪存页面上计算PSA校验和模式（边缘0）。如果PSA总和与预期的PSA值不同，则受影响的闪存页面必须重新编程。