描述
DRV8814为打印机，扫描仪和其他自动化设备应用提供集成的电机驱动器解决方案。该设备有两个H桥驱动器，用于驱动直流电机。每个输出驱动器模块由N沟道功率MOSFET组成，配置为H桥，用于驱动电机绕组。 DRV8814可为每个H桥提供高达2.5 A的峰值或1.75 A RMS输出电流（在24 V和25°C时具有适当的散热）。
简单的并行数字控制接口与行业标准设备兼容。衰减模式可编程，以便在禁用时允许电机制动或滑行。
品牌：TI
型号；DRV8814PWPR
封装：SSOP28
包装：2000
年份：19+
瑞利诚科技（深圳）有限公司
内部关断功能用于过流保护，短路保护，欠压锁定和过温。
DRV8814采用28引脚HTSSOP封装，带有PowerPAD™（环保：RoHS和无Sb / Br）。
特性
FAE：13723714318
8 V至45 V工作电源电压范围
2.5 A最大驱动电流为24 V，TA = 25°C
双H桥电流控制电机驱动器
驱动两个直流电机
四级绕组电流控制
多种衰变模式
缓慢的衰变
快速腐烂
工业标准并行数字控制接口
低电流睡眠模式
内置3.3V基准输出
小包装和足迹
保护功能
过流保护（OCP）
热关断（TSD）
VM欠压锁定（UVLO）
故障条件指示引脚（nFAULT）
在PWM电流斩波期间，H桥能够驱动电流通过电机绕组，直到PWM达到电流斩波阈值。 这在图6中显示为情况1.显示当前的流动方向表示xENBL引脚为高电平时的状态。一旦达到斩波电流阈值，H桥就可以在两种不同的状态下工作，快速衰减或缓慢衰变。
在快速衰减模式下，一旦达到PWM斩波电流水平，H桥就会将状态反转为允许绕组电流反向流动。 当绕组电流接近零时，桥接器就是禁用以防止任何反向电流流动。 快速衰减模式如图6所示，为案例2。在慢衰减模式下，通过使能桥中的两个低侧FET，可以使绕组电流再循环。 FAE：13723714318
如果DECAY引脚为高电平（快速衰减），当电桥被禁用时，将进入快速衰减模式，直到通过桥的电流达到零。 一旦电流为零，桥接器将被禁用以防止电动机从逆转方向。 这允许电动机惯性停止。如果DECAY引脚为低电平（慢速衰减），则当ENBL无效时，两个低端FET都将导通。 这个基本上会使电机的反电动势短路，导致电机制动，并迅速停止。 低端即使在电流达到零之后，FET仍将保持在ON状态。
每个FET上的模拟电流限制电路通过移除栅极驱动来限制通过FET的电流。 如果这
模拟电流限制持续的时间超过OCP时间，H桥中的所有FET都将被禁用
nFAULT引脚将被驱动为低电平。 在应用nRESET引脚或VM为器件之前，器件将保持禁用状态删除并重新申请。
高端和低端器件的过流条件; 即，对地短路，供电或跨越电动机绕组都会导致过流关断。 请注意，过流保护不使用电流检测
用于PWM电流控制的电路，与ISENSEresistor值或VREF电压无关。
DRV8814可用于控制两个有刷直流电机。 PHASE / ENBL接口控制输出可以用内部电流调节电路实现电流控制。 详细的故障报告是提供内部保护电路和nFAULT引脚